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Array制程与检测介绍 上海天马微电子有限公司 Photo Process – Resist Coating 利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应—湿刻 Etching type Etching type selection PEP 1 Mo/AlNd wet etch PEP 2 SiNx /α-Si/ n+-Si dry etch PEP 3 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si wet/dry etch PEP 4 SiNx dry etch PEP 5 ITO wet etch 干刻用气体 反应方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他 Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。 湿刻 M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 草酸（H2C2O4） Etching mode a-Si的刻蚀 反应方程：SF6+He＋SiN→ SiF4↑+SiS2↑ +其他 SF6