化合物半导体器件-第四章异质结双极型晶体管教材.ppt

①HBT:Heterojunctiong Bipolar Transistor，异质结双极晶体管 ②HBT的能带结构特点： a.宽禁带的e区： 利于提高γ； b.窄禁带的b区： Eg小于b、c区； c.pn结： 异质的eb结； 同质或异质的cb结。 ③HBT的基本结构 ①器件特点： 基区渡越初始速度高 ②基区输运模型： 弹道式渡越 ③晶格散射的影响： ④电流增益β： 高的β ⑤ΔEc： 应小于基区导带的 能谷差EL-EΓ ①电流输运：扩散模型 ②发射极电流： ③发射效率： ④电流增益： ⑤频率特性： ①缓变发射结： ②缓变基区： ③自建电场： ④速度过冲；⑤基区渡越时间；⑥电流增益； ⑦缓变基区的作用；⑧缓变基区的形成 ①两个重要的影响因素： ②总的τB： ③ΔEC和ΔEgB要适中： ④νd与ΔEC和ΔEgB的关系 ： ⑤电流增益： * 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2010.5 第四章 异质结双极型晶体管 HBT的基本结构 HBT的增益 HBT的频率特性 先进的HBT 4.1 HBT的基本结构 4.1.1 HBT的基本结构与特点 图4.1 npn HBT结构的截面图 4.1 HBT的基本结构 4.1.1 HBT的基本结构与特点 ④HBT的典型异质结构： a.突变发射结； b.缓变发射结； c.缓变发射结，缓变基区； d.突变发射结，缓变基区。 ⑤HBT的特性：（与BJT相比） a.高注入比； b.高发射效率； c.高电流增益； d.高频、高速度。 HBT的典型结构图 4.1 HBT的基本结构 4.1.2 突变发射结HBT 图4.2 (a) 突变发射结HBT的能带图图 4.1 HBT的基本结构 4.1.3 缓变（渐变）发射结HBT 图4.2 (b) 渐变发射结HBT的能带图 4.1 HBT的基本结构 4.1.3 缓变（渐变）发射结HBT τE为发射结电容充放电时间； τB为渡越基区的时间； τC为集电结电容的充放电时间； τd为集电结耗尽层渡越时间（信号延迟时间）。 小信号下影响fT的主要因素： 4.1 HBT的基本结构 4.1.4 缓变发射结、缓变基区HBT 4.1 HBT的基本结构 4.1.3 缓变（渐变）HBT 4.1.4 缓变发射结、缓变基区HBT 4.1 HBT的基本结构 4.1.5 突变发射结、缓变基区HBT 第四章 异质结双极型晶体管 HBT的基本结构 HBT的增益 HBT的频率特性 先进的HBT 4.2.1 理想HBT的增益 4.2 HBT的增益 若ΔEg=0.2eV，与相同掺杂(NE/NB相同）的BJT相比，则 HBT的β提高了2191倍 共射极： 4.2.2 考虑界面复合后HBT的增益 4.2 HBT的增益 图4.5 npn HBT中的载流子输运示意图 1）界面态的影响：引起复合电流Ir 2）发射极电流Ie：Ie=In+Id+Ip 4）收集极电流Ic：Ic=In-Ir 3）基极电流Ib：Ib=Ip+Id+Ir 5）共射极增益：β=In/Id 6）复合电流的影响： 4.2 HBT的增益 4.2.3 HBT增益与温度的关系 图4.7 不同温度下电流增益(β= IC/ IB ) 与集电极电流的关系 第四章 异质结双极型晶体管 HBT的基本结构 HBT的增益 HBT的频率特性 先进的HBT 4.3 HBT的频率特性 4.3.1 最大振荡频率fmax 4.3 HBT的频率特性 4.3.2 开关时间τb 例如，AlGaAs/AsGa开关 晶体管的τb ： ①比合金扩散结晶体管快5倍 ②比Si BJT快8倍。 减小τb的方法：组分渐变的基区（ν=μE ) 缓变基区HBT能带 * * * 化合物半导体器件