复旦大学微电子工艺_VLSI-09第九讲扩散(下).pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 扩散层质量检验 薄层电阻测量 结深测量 掺杂分布测量 四探针薄层电阻测量 结深测量 磨角染色法（bevel and stain） pn结显示技术：不同导电类型的区域，由于电化学势不同，经染色后显示出不同颜色。 常用染色液：HF与0?1％HNO3的混合液，使p区的显示的颜色比n区深。 掺杂分布测量 C－V测量（Capacitance-Voltage Measurement） 测量结的反偏电容和电压的关系可以测得扩散层的掺杂分布。 二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS） 用高能离子束轰击样品，使其产生正负二次离子，将这些二次离子引入质谱仪进行分析，再由检测系统收集，据此识别样品的组分。 四根探针何四个针尖都保持在一条直线上（linear），并以等压力压在半导体样品表面。1和4称为电流探针，由稳压电源恒电流供电；3和4称为电位探针，测量这两个探针之间的电位差 V I t S S S S t时成立！ 1 4 3 2 VR 1/C2 对于均匀掺杂的单边突变结，结电容由下式给出： ?s 硅的介电常数; NB 衬底掺杂浓度 Vbi 结的内建势; VR 反偏电压 集成电路工艺原