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virtuoso-le版图设计的操作界面 （7） virtuoso-le界面上的lsv相关操作层说明 （8） 层次名称 说明 Nwell N阱 island（Active） 有源区 Pplus/nplus P/n型注入掩膜 pdiff/ndiff p/N型重掺杂，用于形成欧姆接触 Contact 引线孔，连接金属与多晶硅/有源区 Metal1 第一层金属，用于水平布线，如电源和地 Via 通孔，连接metal1和metal2 Metal2 第二层金属，用于垂直布线，如信号源的I/O口 Text 标签 Poly 多晶硅，做mos的栅 Layout Editor 菜单（1） （9） Abstract用于版图抽取，Dracula Interactive用于Dracula工具进行DRC等Verify菜单下的DRC等是用于Diva工具的。 Layout Editor 菜单（2） （10） Virtuoso下的快捷键的使用（1） （11） Ctrl＋A 全选 Shift＋B Return，升到上一级视图 Ctrl＋C 中断某个命令，一般用ESC代替。 Shift＋C 裁切（chop）。 C 复制，复制某个图形 Ctrl＋D 取消选择。亦可点击空白处实现。 Ctrl＋F显示上层等级 Shift＋F显示所有等级 F fit，显示你画的所有图形 K 标尺工具 Shift＋K清除所有标尺 L 标签工具 M 移动工具 Shift＋M 合并工具，Merge N 斜45对角＋正交。 Shift＋O 旋转工具。Rotate O 插入接触孔。 Ctrl＋P 插入引脚。 Pin Shift＋P 多边形工具。Polygon P 插入Path（路径） Q 图形对象属性（选中一个图形先） R 矩形工具。绘制矩形图形 S 拉伸工具。可以拉伸一个边，也可以选择要拉伸的组一起拉伸 U 撤销。 Undo。 Shift＋U重复。Redo。撤销后反悔 Virtuoso下的快捷键的使用（2） （12） V 关联attach。将一个子图形（child）关联到一个父图形（parent）后，若移动parent，child也跟着移动；移动child，parent不会移动。 Ctrl＋W 关闭窗口。 Shift＋W下一个视图。 W 前一个视图。 Y 区域复制Yank。和copy有区别，copy只能复制完整图形对象。 Shift＋Y 黏贴Paste。配合Yank使用。 Ctrl＋Z 视图放大两倍（也可点住鼠标右键拖动） Shift＋Z 视图缩小两倍 Z 视图放大 ESC键 撤销功能 Tab键 平移视图Pan。按Tab，用鼠标点击视图区中某点，视图就会移至以该点为中心。 Delete键 删除 BackSpace键 撤销上一点。这就不用因为Path一点画错而删除重画。可以撤销上一点。 Enter键 确定一个图形最后一点。也可以双击鼠标左键。 Ctrl＋方向键 移动Cell。 Shift＋方向键 移动鼠标。 方向键 移动视图。 认识了virtuoso-le的操作界面及相关操作命令后，我们就可以进行版图编辑了。为了简单起见，我以反相器的设计为例来演示具体的操作步骤。 PMOS N-well P+ (pplus) Island (Active) Poly Metal1 Contact Pdiff NMOS N+ (nplus) Island (Active) Poly Metal1 Contact Ndiff 反相器的版图设计 （13） 首先建立一个反相器inv单元，如下所示： ? 点击File ? new ? cellview 弹出create new file窗口 ? Library name:wx; cell name: inv; tool: 选virtuoso，点击ok后，出现右边界面。 1 画N-well，通常根据设计规则，先在草稿纸上画好版图的大致图案，包括尺寸和布局。也可以先画好，然后再设计规则进行调节。总之就是尽量保证满足规则并且面积尽可能小。 2 PMOS 和 NMOS的active区，也包括制作衬底接触的active 3 形成poly-si和栅氧化层 4 形成NMOS的源漏的掺杂，也包括制作PMOS衬底接触的掺杂 5 形成PMOS的源漏的掺杂，也包括制作NMOS衬底接触的掺杂 6 形成contact孔以及欧姆接触的重掺杂 7 形成金属层 8 金属层标注，到此，反相器inv的版图设计基本完成。 首先建立一个与非门nand单元，如下所示： ? 点击File ? new ? cellview 弹出create new file窗口 ? Library name:wx; cell name: nand; too