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ICS
Q/YGZK
阳光中科 (福建)能源股份有限公司企业标准
Q/YGZK 002—2019
单晶太阳能电池
Monocrystallinesilicon solar cell
2019-08-15发布 2019-08-15实施
阳光中科 (福建)能源股份有限公司 发 布
前 言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由阳光中科 (福建)能源股份有限公司提出。
本标准起草单位:阳光中科 (福建)能源股份有限公司。
本标准主要起草人:许奕川、许光荣、柯雨馨、戴亮亮、杨毓毅、梁兴芳、王惠群。
单晶太阳能电池
1 范围
本标准规定了单晶太阳能电池 (以下简称单晶电池)的术语和定义、分类和等级、要求、试验方法、
检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于本公司生产的单晶太阳能电池。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本 (包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 2829 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6495.1 光伏器件 第1部分:光伏电流-电压特性的测量
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 17473.7 微电子技术用贵金属浆料测试方法
GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
YS/T 28 硅片包装
3 术语和定义
GB/T 14624界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
钝形缺口
缺口形状呈现为沿边缘平缓过渡,并不向中心深入的状态。
3.2
V 形缺口
缺口形状呈现为向中心尖锐深入的形状,类似字母 “V”。
3.3
2
隐性裂纹
肉眼不可见的但用其他检测技术可使其显现的具有一定尺寸的裂纹。
4 分类与等级
4.1 分类
电池按边长分为100.75mm、125.75mm、156.75mm和210.75mm,其他尺寸规格可由供需双方协商确定。
4.2 等级
电池根据尺寸、表面质量、电性能、EL项目等分为A级片和B级片。
5 要求
5.1 尺寸
尺寸的要求如表1所示。
表1 尺寸要求
项目 尺寸规格 A级 B级
100.75mm、125.75mm、
±0.25
156.75mm
边长偏差 (mm) ±0.75
210.75mm ±0.50
100.75mm、125.75mm、
156.75mm
对角线偏差(mm) ±0.50 ±0.75
210.75mm
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