数字集成电路设计第3章器件1.pptVIP

第三章 器件 3.1 二极管简介 ID = IS(e VD/ ?T – 1) 3.2 MOS晶体管 阈值电压VT 一、结构及工作机理：以N管为例，在P型衬底上对称掺杂两块高浓度的施主杂质N+区域，并通过金属电极外接电压，高的一端称为漏，低的一端称为源，并在源漏两端之间生成一层极薄的SiO2绝缘层（称为栅氧），也通过金属电极外接电压，这一极称为栅。 当然，一般情况下衬底接地。 工作机理：先假定S、D之间电压差为0，当在栅上逐渐加一正电压VG时，金属、绝缘体、半导体三者实际上就如同一电容结构。 因此，在金属和半导体的两个对表面上会感应出电荷，电量相等，极性相反，但有因为金属的自由电子密度极高，所以在金属便帽感应出的电荷会分布在一个原子层的范围之内。 而半导体的分布电荷密度小，在一个原子层内分布的电荷有限，所以为了分布与金属表面等量的电荷，会在半导体表面分布一定厚度的电荷，从而形成一个有电荷的区域，这个区域我们称为空间电荷区。 此时，半导体表面的电势称为表面势Vs。 1、当VG从0开始增大，金属接正极，则落在半导体的表面势VS0,表面处的能带就要向下弯曲。 由能带图可知，表面处的Ei-EF差值变小,由P型半导体EF=Ei-KTln(NA/ND)可知， Ei-EF变小，使得NA变小，所以P型半导体表面处空穴浓度表小，并且要小于体内的空穴浓度。 这就相当于表面处多子空穴耗尽，