电工学下册课件第1章 常用半导体器件.pptVIP

2.N型半导体和 P 型半导体 3.PN结的形成 3.PN结的形成 4.PN结的单向导电性 加反向电压（反向偏置） 半导体三极管的型号 2. 伏安特性 3.二极管电路分析举例 例2. 单相桥式整流电路 1.3特殊二极管 1. 稳压二极管 稳压管的主要参数 1.4 晶体管（BJT） 1.基本结构 1.4 晶体管（BJT） 1.基本结构 2.电流分配和放大原理 三极管放大的外部条件 各电极电流关系及电流放大作用 4.BJT特性曲线 发射区和基区多子扩散形成发射极电流；集电区收集到的电子形成集电区的主要电流用IEN表示，还有集电区和基区的少子漂移电流ICBO合起来构成集电极电流。 发射区发射的电子在基区复合，以及基区空穴向发射区扩散共同形成的电流是基极的主要电流，但是还要减去基区与集电区少子漂移电流ICBO UZ稳定电压 IZ稳定电流 IZM最大稳定电流 ? UZ ? IZ 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此稳定电压特性，做成稳压管 _ + U I O 符号 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ 1.3稳压二极管 U I O IZ IZM UZ 动态电阻 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM 最大允许耗散功率 rZ愈小，曲线愈陡，稳