现代半导体器件物理与工艺MESFET 及相关器件.ppt

考虑在开始夹断前的MESFET，如图(a)所示。沿着沟道的漏极电压变化如图(b)所示。沟道基本片段dy两端的电压降可表示为 其中，以dy替换了L。与源极相距y处的耗尽区宽度则可表示为 电流-电压特性 金半场效应晶体管(MESFET) 漏极电流ID为一定值，且与y无关．可将前式重写成 漏极电压的微分dV可由 得到 将dV代入前式，并由y=0积分到L，可得 金半场效应晶体管(MESFET) 即 图显示了一夹断电压为3.2V的MESFET的I-V特性。所示的曲线是当0≤VD≤VDsat时由上式I的公式计算得到。 其中 电压VP称为夹断电压，也就是当W2=a时的总电压之和(VD+VG+Vbi)。 金半场效应晶体管(MESFET) 当VD≥VDsat时，电流于IDsat达到饱和，将这个工作原理区域称为饱和区。当漏极电压进一步增加，栅极-沟道间二极管的雪崩击穿开始发生，这使得漏极电流突然增加， 这就是击穿区。 根据之前的讨论，当电压超过VDsat时，电流被看作是一定值。注意电流-电压特性中有着三个不同的区域。当VD比较小时，沟道的截面积基本上与VD无关，此I-V特性为欧姆性质或是线性关系。于是将这个工作原理区域视为线性区。 金半场效应晶体管(MESFET) MESFET的一项重要参数是跨导，它表示了在某个特定漏极电压下，相对于栅极电压的变化所造成漏极电流的变化。由上式得到 在线性区中，其VD≤VG，式 可展开成 金半场效应晶体管(MESFET) 因此可以求出饱和区中的跨导为 在饱和区中，漏极电流为夹断点时的电流，也就是当VP=VD+VG+Vbi时的电流，即 相对应的饱和电压为 在击穿区中，击穿电压发生在沟道中具有最高反向电压的漏极端，击穿电压 金半场效应晶体管(MESFET) 导带与费米能级间的差为 例4：当T=300K时，一个以金作接触的n沟道砷化镓MESFET。假设势垒高度为0.89V。若n沟道浓度为2×1015cm-3，且沟道厚度为0.6μm。计算夹断电压以及内建电势。已知砷化镓的介电常数为12.4。 解： 夹断电压为 内建电势为 金半场效应晶体管(MESFET) 至此仅考虑了耗尽器件，也就是器件在VG=0时具有一可导电的沟道。而对高速、低功率的应用而言，增强型器件则是较佳的选择。此种器件在VG=0时没有导通的沟道，即栅极接触的内建电势足以耗尽沟道区。如半绝缘衬底上生长一很薄外延层的砷化镓MESFET。对增强型MESFET而言，在沟道电流开始流通前，栅极必须加上正偏压。这个所需的电压称为阈值电压VT，可表示为 其中VP为夹断电压。接近阈值电压时，饱和区的漏极电流可将上式的Vbi代入 中，并在(VG-VT)/VP≤1的前提下，利用泰勒级数展开得到 (VG带负号以表示其极性) 金半场效应晶体管(MESFET) 耗尽型和增强型器件的基本电流-电压特性是相似的。下图比较了这两种工作模式。主要的差别在于阈值电压沿着VG轴的偏移。 增强型器件的跨导为 增强型器件在VG=0时并没有电流导通，当VG＞VT时电流的改变则如前式所示。由于栅极的内建电势约小于1V，因此栅极的正向偏压约被限制在0.5V以避免过大的栅极电流。 金半场效应晶体管(MESFET) 对MESFET的高频应用而言，有一重要指标为截止频率fT，也就是MESFET无法再将输入信号放大时的频率，且 上述推导基本上是假设沟道中载流子的迁移率为一定值，与外加电场无关。然而，对相当高频的工作状态而言，由源极指向漏极的电场，是大到足以使载流子以其饱和速度进行传导的。在这样的情形下的截止频率为 可见，欲改善高频性能，必须使用具有较高载流子迁移率与较短沟道长度的MESFET。这就是为何具有较高电子迁移率的n沟道MESFET具有较佳性能的原因。 电流-电压特性 金半场效应晶体管(MESFET) 因此，要增加fT，必须缩小栅极长度以及使用高速度的半导体。下图所示为五种半导体的电子漂移速度对应电场强度的关系图。 注意到，GaAs的平均速度为1.2×107cm/s，而峰值速度为2×107cm/s，这分别比Si的饱和速度高出了20％-100％。此外，Ga0.47In0.53As与InP甚至比GaAs有更高的平均速度与峰值速度。因此，这些半导体的截止频率将比GaAs 来得更高。 金半场效应晶体管(MESFET) 2 10 3 10 4 10 5 10 6 10 6 10 6 10 5 10 7 10 7 10 8 10 8 10 GaAs As I