第06讲——第4章 存储器(423-424).pptVIP

《计算机组成原理》第06讲第4章 存储器（4.2.3-4.2.4） 主讲人：李淑芝 第4章 存 储 器 教学要求 复习旧课 引入新课 例题：一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？ 解：DRAM的刷新最大间隔时间为2ms，则异步刷新时，刷新 间隔 =2ms/256行 =0.0078125ms =7.8125μs 即：每7.8125μs刷新一行 集中刷新时，刷新最晚启动时间=2ms-0.1μs×256行= 2ms- 25.6μs=1974.4μs 集中刷新启动后，刷新间隔 = 0.1μs 即：每0.1μs刷新一行 集中刷新的死时间 =0.1μs×256行=25.6μs 分散刷新时，刷新间隔 =0.1μs×2 =0.2μs 即：每0.2μs刷新 一行 分散刷新一遍的时间=0.1μs×2×256行 =51.2μs 则分散刷新时，2ms内可重复刷新遍数=2ms/ 51.2μs ≈39遍 课堂练习题： 1. EPROM是指______。 A. 读写存储器