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第六章 化学气相淀积 化学气相淀积 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition），简称CVD。 是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底表面上淀积薄膜。 CVD的基本理论主要包括气相化学反应、热力学、动力学、热传导、流体力学、表面反应、等离子反应、薄膜物理等。 本章内容 6.1CVD模型 6.2化学气相淀积系统 6.3CVD多晶硅的特性和淀积方法 6.4CVD二氧化硅的特性和淀积方法 6.5CVD氮化硅的特性及淀积方法 6.6金属的化学气相淀积 6.1 CVD模型 化学气相淀积步骤： (1)反应剂气体以合理的速流被输送到反应室内，气流从入口进入反应室并以平流形式向出口流动、平流区也称为主气流区，其气体速流是不变的 。 (2)反应剂从主气流区以扩散方式通过边界层到达衬底表面，边界层是主气流区与硅片表面之间气流速度受到扰动的气体薄层。 化学气相淀积步骤： (3)反应剂被吸附在硅片的表面，成为吸附原子（分子）。 (4)吸附原子（分子）在衬底表面上发生化学反应，生成薄膜的基本元素并淀积成薄膜。 (5)化学反应的气态副产物和未反应的反应剂离开衬底表面，进入主气流区被排除系统。 要完成薄膜的沉积，CVD的化学反应还必须满足以下几个条