集成电路工艺概述.pptVIP

薄膜制备 氧化、扩散 LPCVD、PECVD、APCVD、外延… 溅射、蒸发 离子注入+高温退火 * MEMS工艺—集成电路工艺的应用 定义：微机电系统是在微电子技术的基础上发展起来的，融合了硅微加工、LIGA技术和精密机械加工等多种微加工技术。这表明微电子技术是MEMS技术的重要基础，微电子加工手段是MEMS的重要加工手段之一，微电子中的主要加工手段均在MEMS制备中发挥极大作用。包括：Si材料制备、光刻、氧化、刻蚀、扩散、注入、金属化、PECVD、LPCVD及组封装等 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 集成电路与MEMS器件特点比较： 集成电路：薄膜工艺； 制作各种晶体管、电阻电容等 重视电参数的准确性和一致性 MEMS：工艺多样化 制作梁、隔膜、凹槽、孔、密封洞、锥、针尖、弹簧及所构成的复杂机械结构 更重视材料的机械特性，特别是应力特性 特点的不同导致对工艺的要求不同 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 硅片制备 薄膜生长 光刻 刻蚀 划片、封装 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 硅片制备： 拉单晶 切片 磨片 抛光 直拉（CZ）、区融 滚圆、倒角 内圆切刀 化腐、CMP MEMS工艺—集成电路工艺的应用 参数要求： 直径、电阻率、掺杂类型、浓度 平整度、弯曲度、边缘轮廓、擦痕、尺寸与晶向偏差、少子寿命、层错、位错、点缺陷、重金属杂质浓度 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 氧化： 制备：干氧、湿氧、氢氧合成（水汽）、高压氧化 其他方法；LPCVD、溅射、阳极氧化等 注意：高掺杂浓度对氧化速率有影响-增加 在Si/SiO2界面有杂质再分布 -分凝效应 B-Si侧减少 P-Si侧增加 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 功能比较： IC：钝化、扩散掩蔽、介质、隔离层 MEMS：除上述功能外 牺牲层、结构层、刻蚀掩膜等 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 扩散与离子注入 作用：掺杂导电 自停止层 P型：B N型；As、P 扩散：预扩、主扩 间隙式、替位式 气态源、液态源、固态源 掩膜-氧化硅、氮化硅 离子注入：B、BF、P等 退火：激活离子、恢复损伤 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 金属化 作用：互连线、欧姆接触（M-M，M-半导体）、掩膜 结构层 制作：真空蒸发—粘附较差，适于剥离，复合膜困难 溅射—常用，复合膜，化合物组分可调， DC、RF、磁控溅射 LPCVD—较少，高温，保型 电镀—厚金属膜 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 低压化学汽相淀积（LPCVD） 低压，600~800度，热分解或化学反应 输运控制：低压，大自由程，表面反应 SiO2：800度，SiH4+O2，或TEOS热分解 PSG，BPSG：掺P 和B Si3N4：700度，SiH2Cl2+NH3 SiH4+NH3 POLY-Si：600度，SiH4热分解 优点：保型淀积，温度较低 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 外延 特点；单晶生长，同质外延，异质外延 批量生产 Si：SiCL4，SiH2Cl2，SiH4分解 温度：800~1200度 作用：获得所需厚度和掺杂的单晶硅层 自停止层 APCVD 常压制备 SiO2：SiH4+O2 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 等离子增强化学汽相淀积—PECVD 特点：低温200~400度，低压，保型 适于带低温材料的衬底 原理：RF产生等离子体，为化学反应提供能量 SiO2，SiN，SiON等材料 MEMS工艺—集成电路工艺的应用 光刻： 作用：图形转移 光源：紫外光、X光、E-Beam、离子束、准分子激光 光刻胶：正胶（所见所得）、负胶 分辨率、敏感性、粘附性、稳定性、 抗蚀性 剥离技术：光刻--溅射--剥离 *