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模拟电子技术第三章 场效应晶体管及其放大电路应用 第三章 场效应晶体管及其放大电路应用 3.3 场效应管放大电路 3.2 绝缘栅场效应管 2. 工作原理 2. 工作原理 2. 工作原理 3. 特性曲线 3.5 场效应管放大电路 3.5 场效应管放大电路 3.3.1 共源极放大电路 3.3.1 共源极放大电路 3.3.1 共源极放大电路 3.3.1 共源极放大电路 3.3.1 共源极放大电路 本章小结 * 主讲 谢榕 开课单位：电气与电子工程学院电工教学基地 3.1 场效应管概述 3.2 绝缘栅型场效应管 3.1 场效应管概述 场效应管 （FET） 结型（JFET） （属于耗尽型） 绝缘栅型 （MOSFET） 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 3.2.1 N沟道增强型MOS管 (a)结构示意图 (b) 电路符号 P型半导体为衬底 g 栅极 d 漏极 s 源极 1. 结构 绝缘栅场效应管是通过改变栅-源电压uGS的大小，从而改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，即改变感应电荷形成的导电沟道的状况，达到控制漏极电流iD之目的。 1）导电沟道的建立 (a)