脉冲功率技术的工业应用.ppt

脉冲功率技术的工业应用 概述 传统的脉冲功率技术主要用于核聚变研究和军事国防应用。这些领域中的脉冲功率发生器具有极高的峰值功率，通常是单次放电。近年来，具有适中峰值功率的重频脉冲功率发生器得到较快发展，这类发生器结构紧凑，维护费用低，重复性也较好。随着脉冲功率源的发展，人们开始广泛研究脉冲功率技术在食品加工、医疗、污水净化、废气处理、臭氧发生、引擎点火和离子注入等工业领域的应用。 脉冲功率技术的工业应用被分为生物效应，在气体中的脉冲流注放电，在液体或液体混合物中的脉冲放电以及材料处理 脉冲功率发生器 传统的大功率脉冲电源采用储能电容加放电开关的结构，近年来开发的中等功率水平的脉冲发生器大多利用功率半导体开关，再辅以磁开关以及脉冲变压器。 对重频脉冲功率发生器在工业应用上的研发主要集中于光刻光源。其中，应用在半导体制作的准分子激光和高能密度等离子体（极紫外光源）要求具有较高的重复频率，高稳定度和长寿命。因此大多数用于光刻的脉冲电源利用半导体开关和磁开关。需要考虑电源中电容和磁开关的能量损耗，认真选择磁芯材料。 脉冲功率技术在环境领域的应用包括有害气体的分解，臭氧的产生，以及利用脉冲放电产生的等离子体进行水处理等。这些应用中要求脉冲电源重频运行，有较长的寿命。 脉冲电场（PEF）对水进行非热杀菌是一种很有发展前途的技术。一种典型的脉冲功率调制器如下图。 脉冲功率技术的另一个应用是生物细胞置于脉冲电场时的效应。人们研究了在高压超快脉冲电场下细胞膜的充电作用，实验平台的构造如下图。 电极电压1 KV，电场强度100 KV/cm，脉宽60 ns，上升、下降时间2-5 ns。 材料处理 等离子体基离子注入和沉积（PBIID）是利用脉冲功率技术对外形较为复杂的材料进行表面处理。 脉冲功率技术在材料领域的其他应用包括材料烧蚀、表面加热（退火）和新材料合成等，通常利用脉冲高功率激光器和高功率微波发生器。 从使用角度，多数工件往往是通过与材料表面有关的摩擦、磨损、腐蚀等现象而导致最后失效或破坏的，如刀具和工模具的磨损、疲劳断裂，化工容器和管道的腐蚀、氧化锈蚀等。 因此，材料表面改性不仅具有重要的理论研究价值，而且在工程上也具有极其重要的实用价值。 PBIID 用于材料改性的传统离子源由等离子体发生器以及离子提取和加速装置组成。典型的离子束系统属于视线加工（line of sight process），仅适用于平面型基体，如硅片，只有暴露在离子束下的工件表面才能被离子注入。 等离子体基离子注入和沉积(Plasma-based Ion Implantation and Deposition，PBIID)技术摒弃了离子提取这一步骤，直接把基体浸入等离子体中，并对基体施加负的高压脉冲。因此也称为PIII (Plasma Immersed Ion Implantation)。 PBIID的优势 可在较简单的装置中实现对异形工件和多个工件批量地进行全方位的离子注入 较大的离子电流密度 比较短的材料处理时间（数分钟） 较高的注入剂量率(1014 ions/cm-2·s-1) 较宽的离子能量范围（最大约100 KeV） PBIID中等离子体的产生源 直流热阴极发射（灯丝） RF放电（13.56 MHz） 电子回旋共振放电（2.45 GHz） 典型PBIID系统的结构 高压基片支撑台 气体入口 真空泵 利用脉冲变压器的高压脉冲发 生器 ，参数：100 kV, 100 A. 实现多极磁场约束和电子回旋共振的24条磁棒 24个线性微波探测装置。 等离子体反应器直径 60 cm， 高度 70 cm 典型的电压和电流波形 脉冲电压对基体的作用可分为三个阶段： 在脉冲电压上升初期，围绕着基体的等离子体团中的电子被加速，远离基体，从而在基体附近形成离子矩阵鞘层。 在脉冲峰值阶段，在矩阵鞘层中的离子被加速并注入到基体中，离子电流密度达到最大 在脉冲平顶阶段，鞘层和电流密度朝稳态发展。 高压方波脉冲电源 脉冲变压器 层叠型Blumlein线 脉冲形成网络 电源参数：峰值电压4 KV，脉宽5 μs ，上升沿 1 μs ，最大电流2 A，重复频率5 KHz 离子注入的材料有各类金属、过渡金属元素的氮化物，氧化物，以及各种类金刚石材料 类金刚石材料（DLC）具有高硬度、较强的化学惰性和耐高温特性，可以用PBIID技术将其沉积在各种材料表面。 离子注入的材料 生物相容性金属如奥氏体不锈钢、钽、铌、钴铬镍合金、钛以及钛合金等，经过离子注入处理，可以增强其生物活性（bioactivity），耐磨性和耐腐蚀性 增大等离子体密度有助于减小鞘层厚度，提高构造薄膜层的沉积率 用于材料处理的离子源 大多数离子源来自于以各种方法产生的