重构表面碰撞过程.pptVIP

C与Si重构表面碰撞过程的 分子动力学模拟 辅导老师：江建军 课题组成员：储小丽 李枫 黄卫锋 范长鑫 褚光 金向峰 董凯锋 张春云 周旋 实验目的：通过分子动力学方法和多体势研究荷能C原子与Si重构表面碰撞动力学过程中如社C原子能量随时间的变化情况。 1 引言 目前SiC外延主要采用化学气相沉积（CVD），液相外延（MBE）等技术。高温除了引进杂质的再分布外，在降温过程当中将产生热应力和失配缺陷，严重影响电子器件的应用。而等离子体辅助CVD、超声射流分子束等技术则可以有效降低衬底温度。 这些技术当中，入射C原子能量的引入是温度降低的关键，荷能原子与薄膜表面相互作用的物理过程对于材料控制的微观结构和微量化学比起着重要的作用。 2 计算模型 C,Si原子的相互作用的Tersoff势形式为： E＝ 0.5 (1) = ( )[ ( )＋ ( )] (2) 且，bij=(1+ ) , = ( )