第二类磁性的影响因素(精华版).pptVIP

THE END THANK YOU! 影响因素 （1）材料的饱和磁化强度要高； （2）材料的磁晶各向异性常数K1和磁致伸缩常数要低； （3）材料结构要均匀，以免发生大的应力σ。 这些原则性结论对如何采取措施来提高磁导率具有重要的意义。 ? 起始磁导率 定义 起始磁导率μI——在换向磁化曲线上，磁场接近于零时的斜率。 影响因素 影响起始磁导率的因素，主要可以归结为提高材料饱和磁化强度，降低材料的各向异性和增大晶粒、减小气孔等几个方面. 改善方法 1.提高材料的饱和磁化强度 2.降低材料的磁晶各项异性常数K1 3.降低材料的磁致伸缩常数 4.降低材料的各项异性 因此，除了化学成分以外，还必须从工艺上才去措施来降低材料底形状各项异性。 如：选用纯度高，活性好，颗粒细的原料; 掺进微量杂质； 成型致密均匀； 烧结温度、气氛、时间和升降温度速度控制适当等 矫顽力 定义 矫顽力Hc—— 饱和磁滞回线上B＝0时相应的磁场。 内秉矫顽力HCM——饱和磁滞回线上M＝0相应的磁场。 影响因素 就一般而论，磁滞来源于壁移和畴转的不可逆变化，磁滞使能量的转换发生耗损，磁滞与磁能的储存成正比。 磁滞的大小决定于磁滞回线面积的大小，而回线的面积又主要取决于矫顽力。 从磁畴结构运动变化的角度来看，反磁化过程中的壁移和畴转，也有可逆与不可逆之分，但矫顽力是只与不可逆过程联系的，因此这里只讨论不可逆过程。 矫顽力 应力和参杂阻碍畴壁不可逆移动决定的矫顽力 磁矩不可逆转动决定的矫顽力 由反磁化核形成和长大决定的矫顽力 应力和参杂阻碍畴壁不可逆决定的矫顽力 1、应力阻碍畴壁不可逆移动决定的矫顽力： 矫顽力HCM与λS 成正比，与MS成反比 2、参杂阻碍畴壁不可逆移动决定的矫顽力： 矫顽力HCM与参杂浓度、磁晶各向性常数成正比，与饱和磁化强度成反比。 许多实验事实表明，纯铁、纯镍和坡莫合金等软磁材料的矫顽力都与理论的预期大体一致。但在理论与实验作定量进行比较时，还需适当选择模型中的系数。 磁矩不可逆转动决定的矫顽力 在通常情况下，磁矩不可逆转动决定的矫顽力要比不可逆壁移决定的矫顽力大。因此，要获得高矫顽力的材料，需要制造由单畴颗粒或准单畴颗粒组成的样品。（减小磁性颗粒尺寸） 理论应用 本世纪五、六十年代出现的超细铁粉或铁钴微粉（ESD磁体），就是这种类型的磁体。 目前，钡、锶铁氧体永磁，锰铋合金微粉磁体，铝镍钴型永磁的生产或性能的提高，亦可用单畴颗粒的磁矩转动理论来说明。 阻碍因素 单畴颗粒内，阻碍磁矩转动的是各种各向异性： 1、 磁晶各向异性 2、 形状各向异性 3、 感生各向异性 由反磁化核的形成和长大决定的矫顽力 所谓反磁化形核是指其中的磁矩方向与周围环境的磁矩方向相反的一个小区域。 反磁化过程决定的矫顽力的数值，往往在壁移矫顽力和畴转矫顽力之间。 磁滞回线为矩形的一类磁性材料（矩磁材料）的反磁化过程，通常可用反磁化核的形成和长大来说明。 ●剩磁 铁磁物质磁化至饱和后，再将外磁场减退到零便达到剩余磁化状态 。下图表示出铁磁体磁化饱和后随磁场下降到零的剩余磁化过程。 ★剩磁状态的物理概念 剩磁状态是H＝o，而M≠0的磁化状态。 剩磁状态一般可以理解为材料磁化至饱和后，在反磁化过程中保留了大量不可逆的磁化部分，而退掉了在H＞o区域中的可逆磁化部分。图2表示出单抽各向异性晶粒组成的多晶体剩余磁化的磁畴结构变化示意图。 ●剩磁 剩余磁化强度的大小，决定于材料从饱和磁化降到H＝0的反磁化过程中磁畴结构的变化。剩磁是反磁化过程中不可逆磁化的标志，也是决定磁滞回线形状大小的一个重要物理量。 引起剩磁的物理机理 单轴各向异性体只有两个正反方向是易磁化轴方向。 在多晶体中，假设晶粒的单易磁化轴是均匀分布的。当多晶体在某个方向磁化饱和后，再将外磁场退降到零，这时由于不可逆磁化的存在，各个晶粒内的磁矩不是从饱和磁化方向回到自己原来的易磁化轴方向，而是只回到各自最靠近外磁场方向上的那些易磁化铀方向。 所以磁矩均匀分布在半球内，在原来外磁场方向上，仍保留有剩余磁矩。 ★影响剩磁的因素 （一）应力作用对剩磁的影响 （二）杂质和气孔分布对剩磁的影响 （三）材料织构化对剩磁的影响 应力作用对剩磁的影响 在多晶体中，如果磁各向异性很小，而存在着强应力