第七章 材料的烧结.ppt

第七章材料的烧结 在三元系统中，晶界与气孔的二面角必须满足： n：包围气孔的晶界数目。 可见到了烧结后期，气孔闭合的条件是与包围气孔的晶粒数目及二面角?的大小有关。 实际烧结体中气孔的形状是不规则的，因此情况还要复杂得多。晶界上气孔的扩大、收缩或稳定除了与表面张力、二面角、包围气孔的晶粒数有关外，还与晶界迁移率、气孔半径与周围晶粒半径之比、气孔内气压大小等因素有关。 晶界偏析：平衡条件下，溶质原子在晶界处的浓度偏离平均浓度的现象称为晶界偏析或晶界偏聚。 一般来说，晶界结构比晶粒内松散，溶质原子在晶粒内的能量比晶界上能量高，所以溶质原子有自发地向晶界偏析的趋势，使得系统的能量降低。 发生晶界偏析的范围虽然很窄，仅相当于晶界的宽度，但偏析量可以非常显著，溶质原子的浓度可以比晶粒内高10~10000倍。 晶界偏析不仅对材料的力学、物理、化学性质影响很大，对烧结过程也起着重要作用。 晶界上溶质的偏析可以抑制晶界的移动。为了从烧结体中完全排除气孔，空位扩散必须保持在晶界上才具有较高的速率，因此抑制晶界的移动使得气孔在整个烧结过程中都保持在晶界上，避免晶粒的不连续生长就很重要。 利用溶质很容易在晶界上偏析的特性，添加少量的添加剂，就可以达到抑制晶界移动的目的。 晶界同时还是阴离子的快速扩散通道。 晶界对于离子晶体的扩散过程有着更加重要的作用，因为离子晶体的烧结与金属不同，阴、阳离子必须同