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量测设备简介 – AOI自动光学量测 量测设备简介 – AOI 利用灰阶描述 量测设备简介 - Ellipsometer Structure of machine Measurement Flow Measurement item 1. Thickness (T) 2. Refractive index (n) 3. Eg 4. For AS, BP, ITO, PR 量测设备简介 - Ellipsometer Concepti : 入射光r : 反射光 Complex Fresnel Reflection Coefficients 量测设备简介 - Ellipsometer Definition of Ellipsometry Coefficient ρ and its Correlation Equation 量测设备简介 - Ellipsometer Basic theory v.s Ellipsometric data 利用光学量测上物质之尺寸特性与光的传播路径存在着密切关联的特性 膜厚取决于反射自膜表面与底面间光之干涉行为 Film Phase Thickness 折射系数n与消光系数k 均与光之波长存在关联性(均为波长之函数) 无back-reflection之semi-infinite sample(太厚之吸收材料层or 材料与底材之contrast太小) Absorption Coefficient 量测设备简介 - Ellipsometer Calculation Procedure 量测设备简介 - Ellipsometer a) Ψ、Δ相关并非物质之固有性质(intrinsic property) ，且与光线入射角 (AOI)φ0 b) 光学系数(optical index)与介电系数(dielectric function)为材料之固有性 质，与量测时之条件无关 BM SEIKO. CO.，LTD BAOMING SEIKO. 宝明精工 镀膜工艺流程介绍 工艺控制项目 2. 清洗机台简介 3. 理论介绍 4. 材料特性 5. 量测 概要 工艺主要控制参数 加热玻璃基板 0~？℃ 温度 控制最恰当的压力范围 0.1~？Pa 压力 控制稳定恰当的工作电力 0~？KW 电力功率 提供氧化反应气体 氧气流量 产生氩等离子体，提供Ar离子撞击靶材，溅射出的靶材原子在基板表面沉积 0~？sccm 氩气释放率 参数意义 设定值范围 参数名称 Note：依工艺参数确认工艺能力范围。 检验项目及目的 四点探针 椭偏仪 藉由四点探针量测薄膜阻值，藉以推算薄膜之厚度 量测透明膜的厚度、膜质、穿透率 膜厚 统计与判断不良种类，成膜前灰尘，溅污等 自动光学检测(选用) 测量片电阻 膜质 检验在镀膜前，传送过程所造成的污染 Particle(灰尘数量) 微观，藉由显微镜，利用不同倍率之镜头，将影像 放大显示于屏幕上，用来检查玻璃基版上之Defect ，可将影像储存，也可简易量测Defect之大小。 Micro(微观检测，含光学微观检测) 宏观，藉由强光灯，辅助台不同角度的移动， 来检查玻璃基版上之Mura(斑点)、镀膜不均、彩问、光阻烧焦、刮伤、Defect(缺陷)……等。 Macro(宏观检测,含强光绿光等) 检验目的 检验项目 工艺设备简介-清洗机 镀膜前清洗机 滴水 中压水冲洗 高压喷淋水洗 PJ洗净 纯水洗 DI水刷洗 超声波 风刀 DI水清洗 超声波 脱脂刷洗 入料 玻璃基板 PJ洗净 洗净对象：有膜之玻璃基板 滚刷使用时机：仅在玻璃上未镀上任何film时使用，一旦有film於其上，绝不可用，否则易刮伤害film且伤及毛刷。 工艺设备简介 沉积_溅镀 1.DC Sputtering(直流溅镀法)： 电浆的正电离子经过暗带的电场加速后获得高动能，奔向阴极，与其产生冲击，由于动量转换原理，离子轰击后，除了产生二次电子外，还会将因电极表面的原子给轰击出来，这些被击出的原子将进入电浆中，利用扩散原理传递至晶片(玻璃)表面并进行沉积。 2. Magnetron Sputtering(磁控溅镀法)： 提高溅镀的沉积率，在靶材背面加上磁场。电场与磁场的交互作用会使二次电子集中于靶材附近，呈现螺旋状的运动，增加碰撞频率。 3.Gate Metal 利用铝当闸极，因其阻值低，但在后续的高温工艺中，会产生金属突起物(hillock),易造成single line与date line的短路，采用AL_Nd(铝_锂)的靶材，并多镀一层金属(Mo)，来抑制AL的hillock效应。 阴电极 DC Plasma(直流等离子体) 直流溅镀原理：