飞秒激光微构造硅光电二极管的光电响应-强激光与粒子束.PDFVIP

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2019-09-13 发布于天津
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飞秒激光微构造硅光电二极管的光电响应-强激光与粒子束.PDF

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第卷第期强激光与粒子束 , 28 11 Vol.28 No.11 年月 , 2016 11 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Nov. 2016 飞秒激光微构造硅光电二极管的光电响应* 1 2 3 李媛 , 冯国进 , 赵利 ( , ; , ; 1.运城学院物理与电子工程系山西运城 044000 2.中国计量科学研究院光学与激光计量科学研究所北京 100013 , ) 3.复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海 200433 : , 。摘要在一定条件气体氛围中硅可在飞秒激光辐照区产生量级的尖峰结构针对不同尖峰 SF m 6 μ , , , 高度的微构造硅在不同温度下退火采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极制备出了飞秒激光微构 , 。 : 造光电二极管并测试了其光电响应实验结果表明飞秒激光微构造光电二极管的响应随微构造硅光电二极。 , 管的尖峰高度和退火温度的不同而不同尖峰高度为3~4 m的样品在 973K温度退火 30min后响应度可 μ / 。 , / 。达 0.55A W 即使在 1100nm波长处这种新型的硅光电二极管的响应仍可高达 0.4A W : ; ; ; ; 关键词飞秒激光微构造硅光电二极管响应度退火尖峰高度中图分类号: 文献标志码: : / O472 A doi10.11884HPLPB201628.160073 。 , 硅是微电子和光电器件最常用的半导体由于普通硅的禁带宽度是 1.07eV 对于波长大于 1100nm的 , 。 , , , 光其吸收和响应大大降低为了探测近红外光常使用锗或铟镓砷等半导体材料但是这些材料比较昂贵并