国家自然基金项目-全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用.pdfVIP

项目名称： 全组分可调III 族氮化物半导体光电功 能材料及其器件应用 首席科学家： 起止年限： 2012.1-2016.8 依托部门： 教育部 中国科学院 一、关键科学问题及研究内容 关键科学问题及其科学内涵： 根据本项目涉及的高Al组分AlGaN ，高In组分InGaN ，及GaN 、AlN 同质外延 衬底材料等III族氮化物半导体材料及其低维量子结构的共性特点，拟解决的关 键科学问题凝练、归纳为： 1、非平衡条件下全组分可调氮化物半导体的外延生长动力学与缺陷控制 由于InN 、GaN 、AlN 晶格常数的较大差异，三者化学性质的明显差异导致 高Al 组分AlGaN 、高In 组分InGaN 材料的制备均为非平衡条件下的外延生长， 生长窗口狭小，难以生长出大面积、高质量的外延薄膜。而迄今制备GaN 和AlN 自支撑厚膜衬底材料的主流方法--HVPE 法是典型的非平衡态生长。非平衡条件 下全组分可调III 族氮化物半导体及其低维量子结构的外延生长存在一系列尚未 认知的新颖和复杂特性，其缺陷控制规律也有待深入研究和掌握。 2 、全组分可调氮化物半导体中的应力控制和极化调控 AlGaN 基、InGaN 基半导体低维结构材料均为大