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;内 容
一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及存在的问题
二、几种有代表性的等离子体源
三、描述 DF-CCP物理过程的解析模型
四、描述 DF-CCP物理过程的混合模型
五、直流偏压效应
六、有关实验工作进展;;? 均匀性
刻蚀的均匀性包含两层意思：
1）宏观的不均匀性：在晶片的径向上造成的刻蚀率和刻蚀剖 面的不均匀性。
2）微观不均匀性：在每个微槽的底部和侧面造成的刻蚀不均匀性。;为了适应纳电子器件的制备工艺，必须要：
1）提出大面积、高密度、均匀等离子体的新方法；
2）提出优化刻蚀工艺的新方法。 ;1、平板式是射频容性耦合等离子体(CCP)源; 根据熟知的定标关系可知：等离子体密度正比于驱动电源频率的平方和施加的偏压，即
当电源频率w一定时, 要提高等离子体密度，唯一的途径是增加施加偏压。但增加施加的射频偏压时，轰击到晶片上的离子能量也随着增加。太高的离子能量，将对晶片造成不必要的介质损伤。
早期使用的都是单一频率射频电源（13.56MHz)驱动放电的CCP源，很难实现对等离子体密度（正比于刻蚀率）和入射到晶片上离子的能量分布的独立控制。;2、微波电子回旋共振(ECR)/RF偏压等离子体刻蚀源;;3、射频感应耦合等离子体( ICP)/RF偏压刻蚀源;RF biased electrode;感应耦合等离子体(ICP)源的特点;4、双频电容耦合等离子体（DF-CCP)源;目前一些半导体设备制造公司已经研制出或正在研制这种等离子体刻蚀设备，如：
1）美国的Lam（泛林）公司
2)美国Applied Materials公司
3)日本Tokyo Electron
4)中微(上海)半导体设备制造有限公司(AMEC ); DF-CCP sources; 目前对这种双频CCP放电的物理过程和相应的刻蚀机理，仍有很多问题需要研究, 如：
1）两个电源的频率匹配问题，
27MH/1MHz, 27MH/2MHz，60MHz/2MHz？
2）两个电源的施加方式，
施加在同一个电极，还是分别在两个电极？
3）高频电源的频率到达多高为好？
驻波效应？如何匹配电源的频率和腔室的半径？;Typical operating conditions for dielectric etching on 200-300 mm silicon wafers are:
? discharge radius: R~15-25 cm
? plate separation l~1-5cm
? high frequency fh ~27.1-160 MHz
?? low frequency fl ~ 2-13.6 MHz
? high-frequency voltage amplitude |Vh| ~250-1000 V
? low-frequency voltage amplitude |Vl| ~500-3000 V
? powers for both low- and high-frequency sources:
500-3000 W
? discharge pressure p ~30-300 mTorr
;驻波效应：
在超高频情况下，电磁波的波长l可以与放电装置的反应腔室（或电极半径）R相当，从而可以在等离子体腔室内部激发一个径向传播的电磁波，即驻波，引起等离子体密度径向不均匀性。这对芯片刻蚀的均匀性影响很大。
;Shaped lower electrode; 尽管一些厂家研制的这种刻蚀机已在线生产，但对于这种相关的基础研究开展的不多：
? 为数不多的理论研究和计算机模拟工作；
? 相关的实验研究工作很少（2006年---）。
原因：
1）在线使用的刻蚀机是一个“黑匣子”，没有留任何窗口对其中的等离子体进行诊断。
2）在超高频或双频放电情况下，诊断难度很大，对现有的探针诊断技术是一个挑战。 ;三、 描述DF-CCP物理过程的解析模型 ;高频电源----快速振荡
低频电源----振荡的轮廓线;等离子体密度;VL= 400V，fL=2MHz, d=2cm, p=5mTorr;VL= 400V，fH=60MHz, VH=200V, d=2cm, p=5mTorr;四、 描述DF-CCP物理过程的混合模型 ;Electron flux;;E(x,t);e0;One-dimensional model ;Influence of HF-power frequency on plasma density;P
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