模拟电子技术第三章2014.pptVIP

第三章场效应管及其放大电路 3.1 场效应管（Field Effect Transistor简称FET） 场效应管－利用输入回路的电场效应（电压）来控制输出回路电流的一种半导体器件。 主要特点： 输入电压控制输出电流 输入内阻高（107～1012欧姆） 仅靠多数载流子导电，即单极型晶体管。 优点： 易于集成、功耗小、噪声低、热稳定性好、输入内阻高 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 3.1 绝缘栅场效应三极管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOS管。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 一、N沟道增强型MOS管 1.结构 4个电极：漏极D (drain)，源极S (source)，栅极G (gate)和 衬底B (base)。 符号： 金属 SiO2 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥，剩下不能移动的负离子区→耗尽层。 2.工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 ①栅源电压uGS的控制作用 2.工作原理 再增加uGS