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单元3：常用电子元器件 二.绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管的栅极与漏极、源极及沟道是绝缘的，输入电阻可高达1014Ω以上。这种场效应管是由金属、氧化物和半导体组成的，故称MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种。按照工作方式不同可以分为增强型和耗尽型两类。 单元3：常用电子元器件 1.N沟道增强型MOS场效应管 （1）结构及符号 单元3：常用电子元器件 （2）工作原理 将栅、源极短路 （即栅源电压UGS＝0）， 漏、源极间将无电流。 如果在栅、源极间加上一个 正电源UGS，当UGS增加超过某一临界电压U GS(th)时 P型硅表面形成了一个N型薄层，通常把这个N型薄层称为反型层 。若此时加上漏源电压UDS，就会产生ID。 单元3：常用电子元器件 （3）特性曲线 单元3：常用电子元器件 2.N沟道耗尽型MOS场效应管 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构和增强型基本相同，只是在制作这种管子时，预先在二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子。 单元3：常用电子元器件 Ｎ沟道耗尽型绝缘栅场效应管的特性曲线 单元3：常用电子元器件 三.场效应管的主要参数 1.开启电压U GS(th) 。 2.夹断电压U GS(off) 。 3.低频跨导gm。 4.漏源击穿电压U（BR）GS。 5.最大耗散功率PDM。 6.最大漏极电流IDM。 单元3：常用电子元器件 四.场效