第11包高真空磁控溅射薄膜生长系统.PDFVIP

第11 包 高真空磁控溅射薄膜生长系统 一、功能要求 可用于沉积纳米级的单层及多层功能膜和复合膜、金属、合金化合物、氧化 物等，广泛应用于材料研究，功能器件开发。 二、技术要求 -6 *1.沉积室系统极限真空度：≤2x10 Pa (经烘烤除气后)； -7 #2.沉积室系统真空检漏漏率：≤9.0x10 Pa.l/S 3.沉积室系统抽速：充干燥氮气破真空后20 分钟内再抽气，40 分钟可达到 -4 6.6x10 Pa； 4.沉积室停泵关机12 小时后真空度：≤1 Pa； 5.每个靶枪靶材尺寸：Φ60mm； *6.每个靶枪把屏蔽罩尺寸：不超过Φ75mm； *7.每个靶枪磁场强度：磁场可调，实现在单一靶枪上磁性材料和非磁性材料兼 容； 8.每个靶枪射频溅射与直流溅射兼容； #9.每个靶枪靶内有水冷，但磁钢不浸泡在水里，避免磁铁由于水的侵蚀而退磁； -8 #10.每个靶枪靶枪无胶圈密封：靶枪必须满足10 pa 超高真空环境下使用； 11.每个靶枪气动挡板组件：1 套； #12.三个靶可共同折向上面的样品中心，靶与样品距离90～130mm 可调，程序控 制调整， *13.三个靶可共同偏离样品中心，靶与样品距离0～30mm 可调，程序控制调整； #14.基片升降采用无泄漏密封方式，升降距离0-50mm，步进电机控制； #15.基片可加热，炉温900℃，温度稳定后设置精度和显示精度偏差不大于±1℃； 16.基片自转采用无泄漏密封方式，转速5～20 转/分，步进电机控制； 17.基片交接：样品在各真空室之间全自动样品交接，且样品台有小升降功能： 升降距离0-15mm，程序控制； 18.基片可以加负偏压-200V； 19.基片挡板组件：气动； 20.观察窗：CF100 玻璃窗口 21.100SCCM 质量流量控制器（氩气）：VCR 接口； 22.50SCCM 质量流量控制器（氮气）：VCR 接口； 23.气路阀门：VCR 接口； 24.真空获得：抽速不小于685L/S 的分子泵系统； *25.镀膜控压：采用三位一体插板阀+流量计+薄膜规 #26.控制系统：系统由触摸屏和PLC 实现对整个系统的控制，有自动和手动控制 两种功能； 27.在触摸屏上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设 置； 28.膜厚均匀性（只对其中一只靶镀制的薄膜保证膜厚均匀性）： (MAX-MIN)/(2*AVERAGE)*100≤±5%； *29.进样室：1 套 *30.自动控制样品传递杆：1 套 三、服务要求 1、质保期：自设备验收合格之日起1 年 2、质保期内，接到故障报告12 小时内响应，3 个工作日内现场解决问题。质保 期后,接到故障报告24 小时内响应，提出解决方案，5 个工作日内现场维修； 3、到达用户所在地后,在接到用户通知后1 周内执行安装调试直至达到验收指标； 4、卖方应免费向用户提供自验收之后未来3 年的仪器软件升级和优惠提供与之 相关的硬件升级。 5、在用户所在地对用户进行3-5 人、为期2 天的免费培训。培训内容包括仪器 的技术原理、操作、数据处理、基本维护等。 四、其他要求 1、交货时间：合同签订后5 个月 2、交货地点：北京工业大学 3、采购数量：1 套 五、验收要求 1、安装前，用户单位对货物的品牌、数量、包装等方面进行验收。供应商提供 的所有单独包装的货物均应具有原始的完好的标准包装。如遇交付前已拆封的货 物，用户单位有权拒绝或要求更换，海关商检抽查开箱的情况除外。 2、具有国内良好的技术支持和维修支持，设备安装调试可在接到用户通知后一 周内响应，并进行安装。供货方需对应采购要求组件列表向用户逐一介绍组件。 3、设备的性能应符合投标人应答文件中承诺的技术指标，所有指标验收必须由 用户确认。 北京工业大学招标采购项目验收报告（货物） 项目名称 合同项目编号 包号 使用单位 招标代理机构 中标供应商 验收时间 验收地点 验收小组成员 序号 姓名