硅电阻率随掺杂影响.pptx

掺杂对硅的电阻率的影响;电阻率：物质的电阻与横截面积的乘积与长度的比值 国际制单位是欧姆米，常用单位是“欧姆·厘米” 电阻率是导体材料本身的电学性质，与温度有关。;载流子浓度 载流子迁移率;1.电阻率和杂质 浓度的关系;2.电阻率随温度 的变化关系;;量子霍尔效应;一、调制掺杂异质结和二维电子气;调制掺杂异质结一般用分子束外延法生长，结构如下图。 n阶的Ga0.68Al0.32As/GaAs能隙比GaAs能隙宽， 主要在导带形成300meV的台阶； Ga0.68Al0.32As/GaAs中导带的电子势必将流入GaAs， 从而在界面形成空间电荷区及三角形势垒。 ;二、实现只填充最低子带的条件;三、朗道能级和实现量子霍尔效应的条件;四、二维电磁输运和量子霍尔效应;量子霍尔效应（quantum Hall effect） 是量子力学版本的霍尔效应，需要在低温强磁场的极端条件下才可以被观察到，此时霍尔电阻与磁场不再呈现线性关系，而出现量子化平台。 霍尔效应的发现定义了磁场和感应电压之间的关系。 当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力，从而在导体的两端产生电压差。;量子霍尔效应的两种形式;（ b ）霍尔电阻与外电压 V G 的关系 这类实验是保持磁场 B 不变，通过加外电压改变载流子的数目，一般这类实验是在半导体 MOS 器件的反型层上进行的，其典型现象类似上面实验。在某些 V G 处，霍尔电阻出现平台，如图 所示，平台是量子化的，精确地等于 h/e 2 的正整数分之一倍。 从理论上看，上述实验结果是显而易见的，即平台本身相当于填满的朗道能级，这与公式完全吻合。但实际上仍存在许多费解的问题，这些问题已经和正在被逐一解决。