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- 2019-09-07 发布于广东
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动态CMOS与静态逻辑的比较 在静态电路中在任何时候(除去翻转时)输出总是通过低阻路径连至GND 或VDD 扇入(fan-in) 为n 时要求2n 个(n个N-型+n个P-型) 晶体管 动态电路依靠把信号值暂时存放在高阻抗节点的电容上。 需要n+2个(n+1个N-型+ 1 个P-型) 晶体管 动态逻辑门 对输入输出的要求 一旦动态门的输出被放电,它直到下一个预充电阶段之前不可能再次被充电。 动态门的输入在求值期间最多只能有一次翻转。 (对nlogic 为低至高过渡) 在求值期间或求值之后输出可以处于高阻态(PDN off), 状态存放在负载电容CL 上。 动态门的Logic Effort 动态门的特点(以N-logic为例) 逻辑功能仅由PDN 实现(紧凑) 晶体管的数目是N + 2(静态互补CMOS 需2N 个晶体管) 输入电容与伪NMOS 逻辑相同 全摆幅输出(VOL = GND 及VOH = VDD) 无比逻辑–器件尺寸不影响逻辑电平 上拉速度改善,下拉时间变慢 快速的开关速度,(NOR门的逻辑努力是2/3,比静态门5/3小许多) 输入电容Cin小,作为负载被驱动时,对驱动器的负载电容小 无短路电流Isc, 因此由PDN 提供的电流均用来使CL放电 输入只允许在预充电阶段变化,在求值阶段必须保持稳定 对nlogic,输入最多只能有一次低至高的过渡 简单的动态CMOS 逻辑级不
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