HIT电池表面钝化技术.pdfVIP

1.HIT电池表面钝化技术 HIT 电池的性能之所以优异，关键得益于在 单晶硅和非晶硅之间本征非晶硅薄层的插入 ，从而使得单晶硅和非晶硅界面得到很好的 钝化，进而得到较高的开路电压。 因为对于异质结电池来说，界面态特性(尤其 是界面态密度)决定了电池的输出特性。而界 面态密度主要是由沉积在 c-Si 上的掺杂 a-Si:H 引入的。 • 引入本征非晶硅层以后，掺杂层和衬底被 分开了，因此问题得到解决。HIT 结构的 本质特征是使电池获得一个良好的界面， 从而避免载流子的复合。 • 钝化效果直接反映在少子寿命上，因此开 展对本征非晶硅薄层钝化后硅片少子寿命 的研究是制备高效 HIT 电池的前提和关键 实验方案 主要在125尺寸的抛光硅片和制绒硅片上进行钝化实验，采用 showerhead电极双面沉积本征非晶硅薄膜。所用硅片的规格相同， 都是直拉(CZ)n型125单晶硅片，晶向为100，电阻率0.5~3 ﹒cm ，厚度约为200~220μm。 首先对硅片进行抛光或制绒处理，再经清洗后装入PECVD系统，先 在硅片的一面沉积本征非晶硅膜，然后冷却。翻片以后在另一面也 以同样条件沉积本征非晶硅膜，从而实现双面钝化。利用WT－ 2000PV测试钝化后硅片少子寿命，最终通过比较少子寿命来优化本 征非晶硅膜的沉积条件。 少子寿命的测试（本实验所用的测试仪器是基于微 波反射光电导原理的匈牙利 Semilab 公司的WT—2000PV 少子寿命测试仪） • 实验设计 • (1)改变本征层厚度； • (2)改变沉积气压； • (3)改变射频功率； • (4)改变氢稀释度； • (5)改变沉积非晶硅膜之前的氢处理时间； • (6)改变硅片清洗工艺。 少子寿命的测试 •硅片前处理 先将硅片用 RCAⅠ号(NH4OH：H2O2：H2O=1：1：5)溶 液和Ⅱ号溶液分别在 75℃-85℃下清洗 10-20 分钟，后制绒 ，这样先清洗后制绒可有效去除硅片表面的油污及金属粒 子，防止硅片制绒不均。制绒后再用传统的 RCA Ⅰ、Ⅱ 号液清洗，去除制绒时引入的金属离子。每次沉积薄膜之 前陪片(为防止衬底架背板污染硅片，沉积时在硅片和衬 底架之间所放的硅片)在 5%的 HCl 中浸泡 6 分钟，其中后 3 分钟把要沉膜的硅片也放入 HCl 之中，最后陪片和硅片 放入 1%的 HF 中漂洗 1.5 分钟。氮气吹干后装入PECVD。 为了研究不同清洗工艺对少子寿命的影响，本实验采用了基于 ASTEC 清洗法的HF 与臭氧清洗系统(如图 3-8 所示)来清洗制绒后的 硅片，然后与采用传统 RCA 方法清洗的硅片做对比，测得数据(如 图 3-9 所示)表明这种新的清洗方法令少子寿命得到很大改善。 总结 最佳参数为： •(1) 本征层厚度：10nm •(2) 沉积气压：1.1托（146pa） •(3)射频功率：12w •(4) 氢稀释度：90% •(5) 沉积非晶硅膜之前的氢处理时间：2min •(6) 硅片清洗工艺： ASTEC 清洗法 抛光单晶硅片钝化实验 抛光单晶硅片钝化实验 抛抛光光单单晶晶硅硅片片钝钝化化实实验验 •硅片的抛光与清洗 •RCAⅠ号溶液 75℃-85℃温度下清洗 20 分钟→去 离子水冲洗至中性→RCAⅡ号溶液 75℃-85℃温度 下浸泡 20 分钟→去离子水冲洗至中性→抛光液(硝 酸：氢氟酸：醋酸=3：1：2)中反应 20 分钟 →去离子水冲洗→1%的 HF 漂洗 1 分钟→去离子 水冲洗→氮气吹干→装片 钝化后少子寿命的测试 钝化后少子寿命的测试 钝钝化化后后少少子子寿寿命命的的测测试试 钝化后少子寿命的测试 钝化后少子寿命的测试 钝钝化化后后少少子子寿寿命命的的测测试试 同样的钝化条件下，抛光硅片和制绒硅片相比，少 子寿命高的原因主要是：硅片经抛光处理之后，表 面悬挂键少，表面态密度低，缺陷态也相对较少， 因此表面复合速率较低 文章创新点： a. 多数关于 HIT 电池的论文都是对其整体特性的研究，对 本征层钝化这个问题单独研究的很少，本文主要利用少子寿 命的测量结果来评价本征层钝化效果，进而优化本征层沉积 参数。 b. HIT 电池透明导电膜材料最常用的是 ITO，本文采用廉 价、清洁的 ZnO 来代替 ITO。 c. 一直以来，多数研究认为 HIT 电池中的透明导电膜对电 池的影响主要作用于填充因子、短路电流上，而本文进行了 透明导电膜沉积条件对 HIT 电池