N沟道SiC功率MOSFET特点优点应用-北京世纪金光半导体有限公司.pdfVIP

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2019-09-08 发布于湖北
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北京世纪金光半导体有限公司产品规格书 CGE1M090065 N沟道SiC功率MOSFET VDS 900V I @25℃ 36A D RDS(on) 65mΩ 特点低导通电阻下的高阻断电压高速开关特性 TO-247 Package 低的开关损耗 . 低反向快速恢复二极管特性优点高的系统效率低的冷却需求高的功率密度 1. 栅极 2. 漏极 3. 源级更高的系统开关频率 3 应用新能源 1 电动汽车蓄电池充电器高压DC/DC 转换器 2 电机驱动 o 最大额定值(除非另外说明，否则TC = 25 C) 参数符号值单位测试条件漏源电压 V 900 V V =0V, I =100μA DS GS D 栅源电压 VGS -8/18 V 绝对最大值栅源电压 VGSop -4/15 V 推荐工作值单脉冲雪崩耐量 E 418 mJ I =22A, V =50V AS D DD 功率耗散 Ptot 156 W T =25oC，T = 150oC C J 工作结温和存储温度 Tj ,Tstg -55~150 oC 北京世纪金光半导体有限公司产品规格书 CGE1M090065 o 电气特性（除非另外说明，否则TC = 25 C）静态特性值参数符号单位