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小功率开关电源中辅助供电VCC设计相关总结 开关电源是系统供电的核心，而IC的VCC供电又是开关电源的核心。在debug的过程中多时候通过观察VCC波形就可以发现问题所在或者直接就是VCC异常导致的。 小功率的基本是使用简单的绕组整流提供VCC，大功率的电源有专门的供电电源，但此供电电源里也存在绕组整流供电。针对VCC，网上看到的比较零散，同时也发现有一些存在认识上的不足。 将结合自己开发产品过程中碰到的相关问题，对小功率电源中辅助供电VCC设计相关进行总结，供大家参考。同时也欢迎大家提出自己不同的见解，共同探讨，提高。 本帖目前主要从以下几点阐述,先列个大纲： 1.连接到VCC的3种典型启动方式的优劣分析； 2.空载的VCC电压到底该设置为多少; 3.D1、R1、D2的作用和选择; 4.VCC与功耗的关系（空载和短路）; 5.VCC绕组与EMI的关系; 6.与VCC有关的几个典型问题 连接到VCC的3种典型启动方式的优劣分析 第一种方式：从整流桥后的Vbulk处接电阻到VCC，见下图的R3、R4。 此处要注意R3、R4的耐压，如果是普通的1206电阻，至少要3颗；用高压类型的，也最好用2颗。 这种启动方式是早期的，由于R3、R4一直在消耗功率，在追求低空载功耗的今天，基本已被淘汰（对效率要求不高的小功率电源可以使用）。 第二种方式：从整流桥前的L或者N处接电阻到VCC，见下图的R2、R3、R7。 这种启动方式比第一种相比，R上的功耗降低了，缺点是启动速度变慢了，但一般电源的开机时间要求并不严格，基本可以满足要求，也是目前用的较多的启动方式。 减小启动电阻可以起到提高启动速度，但是效果有限，因为不可能减的非常小，有能耗要求。 对于存在X电容放电电阻的，还可以利用这放电电阻，见下图。可以省去多余的启动电阻，节省空间和成本。 第三种方式高压启动 以上两种方式在启动结束后都有功耗，且启动速度不够快，第三种方式高压启动，可以避免这两种不足。高压启动一般是通过内部电流源给VCC电容充电，充满由VCC绕组供电后切断电流源，断开电阻，损耗低。切断恒流源，是IC内部的逻辑，相当于HV脚与bus断开了。辅助绕组的电压与HV pin不直接相连哦，且电平关系，不会有电流流过电阻。 启动速度快，损耗低是高压启动的优点，但其成本会增加，对成本敏感的小功率电源而言不是首选。 算电阻的阻值需要按照低压来计算，以满足最小的启动电流。确保IC低压可以启动。 算电阻的功耗需要按照高压来计算，确保在高压的时候电阻的功率降额满足要求，不至于烧坏了。 2.空载的VCC电压到底该设置为多少？ 有说法是设在Vcc（min）之2V左右，这算经验值，但并严谨。 此时虽然可以保证VCC工作，但在一些动态的时候可能出问题，见下图。 在时间t内，Vo下降很慢，此时原边MOS不传递能量，但VCC由于IC耗电导致下降速度大于Vo，如果VCC设计不够高，很容易下降到下限值导致VCC重启。 这种情况下一般有以下几种方法解决：1、加假负载，让Vo的下降速度大于VCC，这种方式在追求六级能效要求的今天，不会采用。2、加大VCC电压，也就是增加VCC绕组圈数，这会增加几个mW的功耗；3、加大VCC电容，但需要确认开机时间是否会超出规格；4、加快环路反应速度，这需要重新确认相位和增益裕量。 由于VCC跌落到多少与IC功耗，VCC设定值，环路反应速度等有关，我的建议是：在最恶劣情况（一般为满载切空载）VCC跌落到的最小值要大于Vcc（min）1V以上。具体取多大需要折中考虑。 3.D1、R1、D2的作用和选择 见下图：一般是C2远大于C1，通过D1的隔断，较小的C1可以使启动时间更快，较大的C2和C1一起提供稳定的VCC电压。 启动电流经Rstartup对C1充电，直到VCC达到UVLO(on)点，之后IC开始工作打出驱动（此时VCC开始掉电,见下图），待VCC绕组电压建立稳压。在这过程中要特别注意C1的取值，不能太小，需要撑到VCC绕组电压来接管，否则IC将进入不断的重启状态。尤其是输出需要带容性负载，Vo建立较慢，VCC需要维持更久。 C1小是为了启动快，C2大是为稳定工作后提供能量。 如果C1大，就会导致启动慢，加的那个二极管就失去作用了。 关于D2的选择很关键，有人说用快管，有人说用慢管，在实际的产品中慢管、快管均有用到，如何选择取决于D2对传导、辐射以及stress的影响。 关于R1，在此处承受压降，使空满载的VCC电压变化范围不要太大，这是其一。要注意R1的耐压，一般为几个ohm，根据功率来算耐压可能1V都不到，建议至少用0805封装。 R1的第二个作用是可以当作跳线，方便layout走线。 R1的第三个作用是在一些特殊应用中可以作为