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;Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films;机械剥离法制备的石墨烯,A是在普通白光下的图像,B是用原子力显微镜观察的边缘,C是用原子力显微镜观察的单层石墨烯,D是在扫描显微镜下观察到的,E是观察D时所用的基底;少层石墨烯的场效应:A是石墨烯电阻率与栅极电压在不同温度下的关系,B是通过一个70K的反向弯转而得到的电导率曲线,C是同一薄膜空穴系数随栅极电压的变化;A图是单层石墨烯在不同温度下的ShdH震荡。;自我见解;Atomic-scale imaging of carbon
nanofibre growth;镍催化剂和碳纳米纤维的电子显微图;该图是碳纳米纤维在镍表面快速增长的序列图像
a--h是其伸张/收缩的过程;自我见解;Electronic Confinement and Coherence
in Patterned Epitaxial Graphene;石墨烯薄膜的生长和表征
A是在4H-SiC表面多层石墨烯的低能量电子衍射图。
B是石墨化4H-SiC在原子力显微镜下的图像。
C是SiC表面单层石墨烯在扫描传输显微镜下的图像。
D是C中的石墨烯通过光刻之后的图像。
E是石墨烯晶格在扫描电子显微镜下的图像
F是另一块石墨烯晶格在电子力显微镜下的图像。;为了解释石墨烯中载流子的禁锢和相干而对能带中电子的磁性传输特性分析所做的图像。;朗道能级激发的能量变化图;自我见解;Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene;;石墨烯中的量子震荡:a是在恒定的门电压Vg=-60v下,作为磁场B的函数的SdHD。b是在恒定磁场B=12T下,作为Vg的函数的SdHO.;石墨烯中的狄拉克费米子:a是BF对载流子浓度n的依赖关系。(n正表示电子,n负表示空穴)。b是分析中使用的fan图像的例子以得到BF。c是对于mc≈0.069和mc≈0.023m0,△σ的SdHO振幅(标记)作为T的函数;实线是最佳拟合曲线。d是电子和空穴的回旋质量mc作为其浓度的函数,标记是实验数据,实线是最佳拟合曲线。e是石墨烯的电子能谱,即零带隙二维半导体的能谱,描述了速度为光速的三百分之一的无质量狄拉克费米子。; 对于单层石墨烯,其载流子表现为无质量的狄拉克费米子,在狄拉克点(E=0)处,存在一个朗道能级峰,使得费米能级穿越狄拉克点时,出现一个霍尔电导平台的跳跃。纵向电导表现极大,霍尔电导的平台在±1/2,±3/2,± 5/2…. 4e2/h处表现为半整数的霍尔量子效应。;该论文还描述了几种实验结论:第一,石墨烯的电导率从没有低于一个最小值,即使载流子的浓度趋近于零,这个最小值相当于电导率的量子单元;第二,石墨烯中的整数量子霍尔效应发生反常,其填充因子是半整数;第三,石墨烯中无质量的载流子的回旋质量mc由方程E=mcc*2描述。
石墨烯表现出了由狄拉克方程而非薛定谔方程描述的二维粒子气的独特的电子性质,这将为在凝聚态实验中研究量子场论的可能性。;Experimental observation of the quantum
Hall effect and Berry’s phase in graphene;该组图是在T=1.7K时,石墨烯中电阻、载流子密度、和迁移率随门电压的变化情况。a是无磁场的条件下,在宽度只有5um的石墨烯表面,电阻随门电压的变化情况,电压等于零时,电阻达到一个峰值。(左边是石墨烯的低能量能带结构)。b是石墨烯中载流子密度(空圈)和迁移率(实圈)随门电压的变化函数。;a是图一的石墨烯在T=300mk、Vg=15v时测量到的霍尔电阻(黑色)和磁性电阻(红色)随磁场的变化函数。
b是图一的石墨烯在B=9T、T=1.6K时测量到的霍尔电阻(黑色)和磁性电阻(橙色)随门电压的变化函数。
c是石墨烯中朗道态密度能级和相应的量子霍尔电导率随能量的变化函数。;本文主要讲述了具有高载流子迁移率的单层石墨烯磁场运输的试验研究。研究发现,通过电磁场作用,能观察到半整数量子霍尔效应;Berry相位的相关性可以通过磁震荡确定。;Graphene-based composite materials;石墨烯聚苯乙烯复合材料的制备过程。
a是氧化石墨材料
b是通过氧化石墨而制备的石墨烯薄膜
c是原子力显微镜下厚度为1nm的带有官能团的氧化石墨烯片层。
d被异氰酸盐处理的氧化石墨和未分解的聚苯乙烯在二甲基甲酰胺中的悬浊液。
e是在甲醇上凝固之后的混合粉末。
f是用同样方法处理过的聚苯乙烯。
g是在聚苯乙烯表面处理得到的复合材料在扫描电子显微镜下的放大图像;石墨烯聚苯乙烯复合材料在扫描
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