半导体-第六讲-氧化工艺备课讲稿.pptVIP

其他的氧化 除了以上几种热氧化方法外，还有几种特殊的氧化方法。例如：为了制备高质量的薄栅氧化层，出现了低温薄栅氧化（ ﹤ 900℃）和分压氧化(在氧气中通入一定比例的不活泼气体，降低氧气的分压，以降低氧化速率); 为了制备厚的氧化层，出现了高压氧化方法。 热氧化工艺的设备 热氧化的设备主要有水平式和直立式两种，6英寸以下的硅片都用水平式氧化炉,8英寸以上的硅片都采用直立式氧化炉。氧化炉管和装载硅片的晶舟都用石英材料制成。在氧化过程中，要防止杂质污染和金属污染，为了减少人为的因素，现代IC制造中氧化过程都采用自动化控制。如图3和图4所示分别是典型的水平式氧化炉系统和直立式氧化炉系统。 影响氧化均匀性的重要工艺参数是氧化区域的温度分布。在水平式氧化炉中采用五段加热器进行控温即是为了达到最佳的温度分布曲线，通常温度误差控制在士0.5℃。 与水平式氧化炉系统相比，直立式氧化系统有一个很大的优点，就是气体的向上热流性，使得氧化的均匀性比水平式的要好，同时它体积小、占地面积小，可以节省净化室的空间。 在硅片进出氧化区域的过程中，要注意硅片上温度的变化不能太大，否则硅片会产生扭曲，引起很大的内应力。一个氧化过程的主要步骤如图5所示。 步骤1:硅片送至炉管口，通人N2及少量O2 步骤2:硅片被推至恒温区，升温速率为5一30℃/Min步骤步骤3:通人大量O2 ，氧化反应开始。 步骤4:加人一定比例的含氯气体(干氧化方式)，或通人H2(湿氧化方式)。 步骤5:通O2 ，以消耗残留的含氯气体或H2 步骤6:改通N2 ，做退火处理。 步骤7:硅片开始拉至炉口，降温速率为2 -- 10 ℃/Min 步骤8:将硅片拉出炉管。 氧化工艺 内容 1、列出硅器件中，二氧化硅膜层的基本用途。 2、描述热氧化的机制。 3、氧化方法及工艺设备。 4、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。 5、氧化膜的质量评估。 二氧化硅层的用途 1、表面钝化 2、掺杂阻挡层 3、表面绝缘体 4、器件绝缘体 5、 缓冲层 6、隔离层 作为MQS器件的绝缘栅介质:在集成电路的特征尺寸越来越小的情况下，作为MQS结构中的栅介质的厚度也越来越小。此时SiO2作为器件的一个重要组成部分(如图1所示)，它的质量直接决定器件的多个电学参数。同样SiO2也可作为电容的介质材料。 作为选择性掺杂的掩模: SiO2的掩蔽作用是指SiO2膜能阻挡杂质(例如硼、磷、砷等)向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅片表面就可以进行有选择的扩散。同样对于离子注人，SiO2也可作为注人离子的阻挡层。 作为隔离层:集成电路中，器件与器件之间的隔离可以有PN结隔离和SiO2介质隔离。 SiO2介质隔离比PN结隔离的效果好，它采用一个厚的场氧化层来完成。 作为缓冲层:当Si3N4。直接沉积在Si衬底上时，界面存在极大的应力与极高的界面态密度，因此多采用Si3N4/ SiO2/ Si结构，如图2所示。当进行场氧化时，SiO2会有软化现象。可以清除Si3N4和衬底Si之间的应力。 作为绝缘层:在芯片集成度越来越高的情况下就需要多层金属布线。它们之间需要用绝缘性能良好的介电材料加以隔离，SiO2就能充当这种隔离材料。 作为保护器件和电路的钝化层:在集成电路芯片制作完成后，为了防止机械性的损伤，或接触含有水汽的环境太久而造成器件失效，通常在IC制造工艺结束后在表面沉积一层钝化层，掺磷的SiO2薄膜常用作这一用途。 图1 MOS场效应晶体管结构 图2 场氧化层作为缓冲层 O2 O2 O2 100nm Tox=(B/A)t 线性阶段 Original Si 100nm Tox=(Bt)1/2 抛物线阶段 热氧化的机制 受限反应，受限扩散反应 Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Si的氧化过程是一个表面过程，即氧化剂是在硅片表面处与Si原子起反应，当表面已形成的SiO2层阻止了氧化剂与Si的直接接触，氧化剂就必须以扩散的方式穿过SiO2层、到达SiO2一Si界面与Si原子反应，生成新的SiO2层，使SiO2膜不断增厚，同时SiO2一Si界面向Si内部推进. SiO2的生长示意图 Dry Oxidation Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Wet Oxidation（stream Oxidation） Si (S) + H2 O (V)— SiO2 (S) + H2 (V) 氧化率的影响 900-1200oC 900-1200oC 1、氧化源： 干氧 湿氧(发泡、干法) Cl参入氧化 干氧氧化 优点：结构致密、均匀性和重复性好、与光 刻胶黏附好且应力小。 缺点：生长温度高、生长速度慢。 氧化率的影响 2、高压氧化 在实