第四章半导体中载流子的输运现象课件.ppt

第四章 半导体中载流子的输运现象;第四章 半导体中载流子的输运现象;半导体中载流子的输运有三种形式： 漂移 扩散 产生和复合;第四章 半导体中载流子的输运现象;4.1 载流子的漂移运动与迁移率; 图中截面积为s的均匀样品， 内部电场为|E| ，电子浓度为n。 在其中取相距为 的A和B两 个截面，这两个截面间所围成 的体积中总电子数为 ， 这N个电子经过t时间后都将通过A面，因此按照电流强度的定义 与电流方向垂直的单位面积上所通过的电流强度定义为电流密 度，用J表示，那么 ;令 ，称μn为电子迁移率，单位为cm2/V·s。因为电子逆 电场方向运动， 为负，而习惯上迁移率只取正值，即 迁移率μn也就是单位电场强度下电子的平均漂移速度，它的大小 反映了电子在电场作用下运动能力的强弱。 则， 已知欧姆定律微分形式为 σ为电导率，单位S/cm。 上式就是电导率与迁移率的关系。电阻率ρ和电导率σ互为倒数， 即σ＝1/ρ，ρ的单位是Ω·cm。;二、半导体的电导率和迁移率; 通常用(Jn)drf和(Jp)drf分别表示电子和空穴漂移电流密度，那 么半导体中的总漂移电流密度为 n型半导体 np p型半导体 pn 本征半导体 n=p=ni ;4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系;外电场作用下,电子的运动轨迹;载流子在外电场下的实际运动轨迹是热运动和漂移运动的叠加. 因此上述的平均漂移速度 是指在外力和散射的双重作用下，载流子是以一定的平均速度作漂移运动的。;二、半导体中载流子的主要散射机构; 为描述散射作用强弱，引入散射几率P，它定义为单位时间内 一个载流子受到散射的次数。 如果离化的杂质浓度为Ni，电离杂质散射的散射几率Pi与Ni及 其温度的关系为 上式表明： Ni越高，载流子受电离杂质散射的几率越大； 温度升高导致载流子的热运动速度增大，从而更容易掠过电离杂质周围的库仑势场，遭电离杂质散射的几率反而越小。; 注意： 对于经过杂质补偿的n型半导体，在杂质充分电离时，补偿后的有效施主浓度为ND-NA ，导带电子浓度n0=ND-NA； 而电离杂质散射几率Pi中的Ni应为ND+NA，因为此时施主和受主杂质全部电离，分别形成了正电中心和负电中心及其相应的库仑势场，它们都对载流子的散射作出了贡献，这一点与杂质补偿作用是不同的。;2. 晶格振动散射;由N个原胞组成的一块半导体，共有6N个格波，分成六支。 其中频率低的三支称为声学波，三支声学波中包含一支纵声学波和二支横声学波，声学波相邻原子做相位一致的振动。 六支格波中频率高的三支称为光学波，三支光学波中也包括一支纵光学波和二支横光学波，光学波相邻原子之间做相位相反的振动。 波长在几十个原子间距以上的所谓长声学波对散射起主要作用，而长纵声学波散射更重要。;在GaAs等化合物半导体中，组成晶体的两种原子由于负电性不同，价电子在不同原子间有一定转移，As原子带一些负电，Ga原子带一些正电，晶体呈现一定的离子性。 纵光学波是相邻原子相位相反的振动，在GaAs中也就是正负离子的振动位移相反，引起电极化现象，从而产生附加势场。 ;离子晶体中光学波对载流子的散射几率P0为 式中 为纵光学波频率， 是随 变化的函数， 其值为0.6~1。P0与温度的关系主要取决于方括号项，低温下P0较小，温度升高方括号项增大，P0增大。 ;载流子与载流子之间的散射: 强简并半导体中载流子 浓度很高，载流子之间也会发生散射。;（3） 其它因素引起的散射;1、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（ ） 2、在半导体中，载流子的三种输运方式为（ ）、 （ ）和（ ）。 3、载流子在外电场的作用下是（ ）和（ ）两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）。 4、什么是散射;三、散射几率P与平均自由时间τ间的关系;t=0时所有N0个电子都未遭散射，由上式得到 t时刻尚未遭散射的 电子数 在dt时间内遭到散射的电子数等于N(t)Pdt=N0e-PtPdt，若电子的自 由时间为t，则 结论：即τ和P互为倒数。;四、迁移率、电导率与平均自由时间的关系