电工第十八讲.pptVIP

晶体管的电流放大原理 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE RC B C E 共发射极放大电路 第1章 上页 下页 PNP 管： UBE0 UBC0 即VCVBVE C E B 返回 三极管的电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第1章 上页 下页 返回 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 第1章 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UBE /V IB/ μA O O 2.晶体管输出特性曲线 IC = f (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 晶体管输出特性曲线分三个工作区 UCE /V IC / mA 80 60 40 0 IB= 20 μA O 2 4 6 8 1 2 3 4 截止区 饱和区 放大区 第1章 上页 下页 返回 晶体管三个工作区的特点: 放大区: 截止区: 饱和区: 发射结正偏,集电结反偏 有电流放大作用, IC=βIB 输出曲线具有恒流特性 发射结、集电结处于反偏 失去电流放大作用, IC≈0 晶体管C、E之间相当于开路 发射结、集电结处于正偏 失去线性放大作用 晶体管C、E之间相当于短路 第1章 上页 下页 返回 3.主要参数 集电极基极间反向饱和电流 ICBO 集电极发射极间穿透电流 ICEO ICEO=(1+β)ICBO 交流电流放大系数β=△IC / △IB 第1章 上页 下页 直流电流放大系数β=IC / IB 电流放大系数 极间反向饱和电流 返回 ICEO C B E μA μA ICBO C E B 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 第1章 上页 下页 极限参数 返回 温度对晶体管特性的影响 对输入特性的影响 上页 下页 返回 对晶体管输出特性的影响 上页 下页 返回 光电三极管 上页 下页 返回 光电三极管的输出特性曲线 用途：光电信号传输、系统隔离等 上页 下页 返回 作业： 作业：1.4.1，1.4.2 1.5.2，1.5.4，1.5.5 * * * * 期中考试安排 时间：4月16日13:30—15:30 地点：J0-003 J0--004 1.4.2 二极管的特性和主要参数 1.4.3 二极管的电路模型 1.4.4 稳压二极管 1.4.1 PN结及其单向导电性 1.4 晶体二极管 第1章 上页 下页 返回 1.本征半导体 完全纯净 的具有晶体 结构的半导 体称为本征 半导体 。它 具有共价键 结构。 锗和硅的原子结构 单晶硅中的共价键结构 价电子 硅原子 第1章 上页 下页 返回 1.4.1 PN结及其单向导电特性 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。 在常温下自由电子和空穴的形成 复合 自由电子 本征 激发 第1章 上页 下页 返回 空穴 2. N型半导体和P型半导体 原理图 P 自由电子 结构图 磷原子 正离子 P+ 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷或砷、 锑，则形成N型 半导体。 多余价电子 少子 多子 正离子 在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子 第