一过压MOSFET的过压主要分为栅源极过压和漏源极-华之美半导体.pdf

MOSFET 作为一种新型的功率器件，具有开关速度快，内阻低损耗小等优点，但是如果使用不当也容易损 坏。MOSFET 损坏的原因主要有过压，过流，短路，静电，过热，机械损坏等。 一．过压 MOSFET 的过压主要分为栅源极过压和漏源极过压。 1. 栅源极过压 MOSFET 的栅源极之间允许的电压（VGSS ）都有一个限制，业界的一般是±12V(低压 MOS)~±20V(中 压大电流 MOS/高压 MOS),华之美半导体大部分 MOS 管的栅源极耐压是±12V~±30V,意味着 MOSFET 的栅源极之间超过这个电压，MOSFET 就有可能击穿损坏。为了防止栅源极过压，我们可以采取如下措施： 1）.采用 5-12V 稳定的电压给 MOSFET 驱动芯片供电； 2）.对于无法采用 5V-12V 稳定的电压给 MOSFET 驱动芯片供电的情况下需要在栅源极之间并联 5V-12 V 的稳压管。 2. 漏源极过压 MOSFET 的漏源极之间允许的电压（BVDSS）都有一个限制，意味着 MOSFET 的漏源极之间超过这个电 压，MOSFET 就有可能击穿损坏。因此在选型的时候我们需要根据电路的电压输入范围和拓扑结构来选择 MOSFET 并留有一定的余量。当然，由于分布参数和变压器漏感的影响，在 MOSFET 的某个工作瞬间往 往会瞬间过压，虽然 MOSFE