西安交通大学赵进全模拟电子技术基础课件.ppt

西安交通大学 赵进全 模拟电子技术基础 第3章;场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )。;1. 结型场效应管，简称JFET (Junction Field Effect Transistor)。;3.1 结型场效应管 ;N;漏极d（drain);符号;N沟道结型场效应管;1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 ;b．UGS(off)uGS0;N;当uDS=0时，uGS对沟道的控制作用动画演示 ;2．当uGS =0时，uDS对沟道的控制作用 ;N;N;c．uDS|UGS(off)|;当uGS =0时，uDS对沟道的控制作用动画演示 ;3．当uDS ≥0时，uGS(≤0）对沟道的控制作用 ;uDS 、uGS共同对沟道的控制作用动画演示 ;(1) JFET是利用uGS 所产??的电场变化来改变沟道电阻的大小。;3.1.3 结型场效应管的伏安特性 ;1．输出特性（漏极特性） ;2;放大区;截止区;2．转移特性;?;当管子工作于恒流区时;3.1.4 结型场效应管的主要电参数 ; (3) 直流输入电阻RGS;当管子工作在放大区时;可见，gm与IDQ有关。IDQ越大，gm也就越大。 ;3. 极限参数;[例] 在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？;(b) 因;3.2 绝缘栅型场效应管 ;3.2.1 增强型MOS管 ;P;SiO2保护层;1. 工作原理 ;(1) uGS =0 , uDS≠0;P;P;P;P;P;a. uDS升高;b. 当uGD =uGS–uDS=UGS(th）时;c. 当uDS进一步增大;增强型NMOS管工作原理动画演示;2．伏安特性与参数 ;(1) 可变电阻区;(2) 放大区(饱和区、恒流区);截止区;管子工作于放大区时函数表达式;[例] 图示为某一增强型NMOS管的转移特性。试求其相应的常数K值。 ;3.2.2 耗尽型MOS管 ;绝缘层中渗入了正离子;导电沟道增宽;2．伏安特性与参数 ;b．转移特性曲线;增强型与耗尽型管子的区别;MOSFET符号;JFET符号;场效应管的特点（与双极型晶体管比较）;双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定 的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。;(5) 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在 制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。;场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管 低。;2. 绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？;3.3 场效应管放大电路;(3) 静态分析;a;b. 方法二：估算法;[例] 在图示电路中，VDD=18V，RD=3kΩ，RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ 、IDQ和UDSQ 。;UGSQ =－2.9 V;2．分压式偏置;故;3．信号的输入和输出;3.3.2 场效应管的微变等效电路;为跨导;或者;简化的微变等效电路;FET的高频模型;3.3.3 场效应管组成的三种基本放大电路;由图可知;由图可知;根据输出电阻的定义;2. 共漏极放大电路;由图可知;输入电阻; c. 求输出电阻Ro;由图可知;3. 共栅极放大电路;微变等效电路;由图可知;故;故;1. 比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管 放大电路，在电路结构上有何相似之处？在性能 上各有何特点？ 2. 增强型绝缘栅场效应管放大电路的直流偏置能否 采用自给偏压方式？为什么？;[例1] 在图示电路中: ; (2) 已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS； (3) 在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及Ro的 表达式。 ;[解] 由图可知，该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。;(1) 由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电路的静态工作点Q靠近可变电阻。;将以上两式联立求解得;(3);[例2] 电路如图所示，已知T1的gm 和T2的?、rbe。试写出电压放大倍数Au 的表达式。 ;微变等效电路;由图可知