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VLSI设计 半导体存储器电路 主要内容 概述 1.半导体存储器 2.随机存取存储器RAM 3. ROM 概述 在逻辑电路及设计方面，集成电路的最大影响体现在半导体存储器的应用中。 半导体存储阵列能够存储大量的数字信息，对所有的数字系统来说是必不可少的。 半导体存储器体积小，其结构规则，易于绘制版图，因此价格也很便宜。 在许多情况下，用逻辑门和存储器的混合电路实现开关函数比仅用逻辑门要经济得多。 概述 一般来说，用于信息存储的晶体管要远远多于实现逻辑运算和其他功能的晶体管。 对存储数据量不断增加的要求导致存储器制造工艺朝着越来越密集的设计规则进步，从而产生越来越高的数据存储密度。因此，单片半导体存储阵列的最大数据存储能力约每两年就要翻一番。 概述 存储阵列的面积效率，即单位面积存储的数据位数，亦即每一位存储器的费用，是决定整体存储能力的关键设计准则之一。 另一个重要指标是存取时间，即在存储阵列中写入和读取特定数据位所需要的时间。存取时间决定了存取速度，因而存取速度也是衡量存储器的一个重要性能指标。 最后，由于低功耗应用变得越来越重要，所以存储器的静态和动态功耗也是设计时要考虑的重要因素。 1.半导体存储器分类 半导体存储器一般按数据存取方式进行分类。 （1）RAM（随机存取存储器） 存储器中的信息可以写入和读出，可在任意要求的时序里，对任何地址，以相同的时间进行存取。 然而，它所存储的数据容易丢失，比如在掉电时会丢失所有存储的数据。基于单个数据存储单元的工作原理，RAM主要分为两大类：动态存储器（DRAM）和静态存储器（SRAM）。 1.半导体存储器分类 DRAM在存储节点上存在漏电现象，单元信息（电压）会逐渐丢失。因此，单元数据必须周期性地进行读出和重写（刷新）。 DRAM成本低、密度高，因此在PC、大型计算机和工作站中广泛用做主存储器。 SRAM单元含有锁存器，只要不掉电，即使不刷新，数据也不会丢失。 SRAM存取速度高、功耗低，因此主要作为微处理器、大型机、工作站以及许多便携设备的高速缓冲存储器。 1.半导体存储器分类 （2）ROM（只读存储器） 只读存储器（ROM）在正常运行中只能够对已存储的内容进行读取，而不允许对存储的数据进行修改。ROM存储器数据不易丢失，即使在掉电和不刷新的情况下，所存数据也会保存完好。 1.半导体存储器分类 根据数据存储（写入数据）方式的不同，ROM可分为掩膜ROM和可编程ROM(PROM )。 前者的数据是在芯片生产时用光电掩膜写入的，而后者的数据则是在芯片做好后以电学方式写入的。 根据数据擦除特性的不同，可编程ROM又可进一步分为熔丝型ROM、可擦除PROM（EPROM）和电可擦除PROM（EEPROM）。 1.半导体存储器分类 熔丝型ROM中的数据是通过外加电流把所选熔丝烧断而写入的，一旦写入后数据就不能再进行擦除和修改。这种ROM可由用户写入信息，但只能写一次。 而EPROM、EEPROM中的数据能够重新写入，但写入次数限制在104-105以内。EPROM是让紫外光透过外壳上的水晶玻璃来同时擦除片内所有数据，而EEPROM则是通过加高电压以8位为单位来擦除单元中的数据。然后每个单元可以用电写入新的信息。 1.半导体存储器分类 EAROM（电改写ROM），虽然通常把E2PROM当作EAROM的同义词，但一些作者定义它们的差别为：EAROM可以逐位逐字（即逐单元）地用电擦除信息，而E2PROM是所有的单元同时用电擦除信息。 1.半导体存储器分类 闪存（flash）与EEPROM相相似，它所保存的数据也可通过外加高电压来擦除。EEPROM的缺点就是写人速度较慢，仅在微秒级。 1.半导体存储器分类 铁电RAM（FRAM）是利用铁电电容器的滞后特性来克服其他EEPROM写入速度慢的缺点。 因为ROM的成本比RAM低，一般用做打印机、传真机、游戏机及ID卡的永久性存储器。 下图和表分别表示了存储器的分类及不同类型存储器的特性。 1.半导体存储器分类 1.半导体存储器分类 1.半导体存储器分类 下图所示的是存储单元的等效电路。 1.半导体存储器分类 2.随机存取存储器RAM 下图所示为一个RAM的结构，虽然其结构的细节是多种多样的，但通常都是由许多存储单元、一个地址译码器、一个存储寄存器和一个读-写控制器组成的，每个存储单元可存储“0”或“1”的信息，所有存储单元排列成一个矩阵。 2.随机存取存储器RAM 其数据存储结构或者说其核心是由许多位于行和列上独立的存储单元构成的。每个单元可存储一位的二进制信息。 在这种结构中，有2N行（也叫字线）和2M列（也叫位线），因而共有2N×2M个存储单元。 2.随机存取存储器RAM 当一个地址码（A1A2…An）加到译码器