iivi族化合物半导体.pptVIP

x0.5时，Eg/dT0 ，禁带宽度随温度升高而增加； x0.5时，dEg/dT0，禁带宽度随温度升高而减小； x=0.5时，dEg/dT=0，禁带宽度不随温度变化； Ⅱ-Ⅵ族三元化合物的晶格常数随组分x的变化服从维戈定律。 如Hg1-xCdxTe的晶格常数 CdxZn1-xTe的晶格常数 Ⅱ-Ⅵ族三元化合物的晶格常数与组分x的关系 2. Hg1-xCdxTe（MCT)的制备 在Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料中，研究和应用最多的是Hg1-xCdxTe。 禁带宽度从-0.3eV随x变化到1.6eV，波长对应1~40?m。 该材料可制作8~14?m大气透明窗口探测器。 制备MCT材料的方法很多，体单晶的移动加热法和生长薄膜材料的MBE和MOVPE法。 1.移动加热法（THM） 由相图知熔体中凝固生长体单晶，分凝现象严重，晶体中的组分很不均匀。 移动加热法制备MCT体单晶解决了晶体的均匀性、纯度、生长晶向等问题。 优点：稳态生长、生长温度低，可对物料进行纯化并利用籽晶定向生长。 反应器缓慢通过加热器，在均匀的固态物料上形成一个熔区，上面的固液界面，温度高，固相（浓度C0）溶入溶剂区，温度较低的固液下界面即生长界面，材料以同一浓度C0结晶。 是一种近平衡的生长过程，结晶生长在恒温下进行，生长温度低于材料生长的最高固相线温度，具有低温生长的优点。 2.MBE和MOVPE法 优点：（1） 更适合在“原位”生长异质结和PN结； （2） 实现了在面积大、质量好、实用性强的衬 底上生长； （3） 可进行薄层、超薄层和原子层的外延； （4） 对实际生长过程进行监测； （5） 批量生产. (3)Ⅱ-Ⅵ族化合物熔点较高，在熔点下具有一定的气压，而且组成化合物的单质蒸汽压也较高。 制备Ⅱ-Ⅵ族化合物的完整单晶体比较困难；除CdTe可以生成两种导电类型的晶体外，其它均为单一的导电类型，而且多数为N型，很难用掺杂方法获得P型材料。这是由于Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体内点缺陷密度大，易发生补偿效应。 这类材料除少数外，很难制成P-N结。这限制了Ⅱ-Ⅵ族化合物材料在生产方面和应用方面不如Ⅲ-Ⅴ族化合物材料普遍。 ? Ⅱ-Ⅵ族化合物的能带结构都是直接跃迁型，且在Г点（k=0）的能带间隙（禁带宽度）比周期表中同一系列中的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体和元素半导体的Eg大。 如: ZnSe的Eg =2.7eV、GaAs的Eg=1.43eV、Ge的Eg=0.67eV。 Ⅱ-Ⅵ族化合物随着原子序数的增加，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的禁带宽度逐渐变小。 (e)ZnSe能带； (J)CdTe能带： 9-1 II—VI族化合物单晶材料的制备 1．II—VI族化合物单晶制备 II—VI族化合物单晶生长方法有很多种。其个最主要的有：高压熔融法、升华法、移动加热法等几种。 (1)高压熔融法（垂直布里奇曼法） II-VI族化合物在熔点其蒸气压和解离度较大，且在远低于它们的熔点时，就分解为挥发性组元，因此晶体只能在高压力下从熔体生长。 例如：CdS在100大气压1470℃才熔化，ZnS亦需在几十大气压1830℃才熔化，CdTe需要的压力较低，在大气压下1090℃下即可熔化。 垂直布里奇曼炉 将纯Cd和纯Te按一定计量比装入石英瓶，抽真空(10—8mmHg)后封闭，放入坩埚内，热区温度保持在熔点，待熔融后，以1—5mm ／h的速度下降坩埚并转动，即可得到CdTe单晶。 还可生长ZnSe CdSe和 CdS等单晶。 （2）升华法 升华法是利用II-VI族化合物固体在某一温度、压力下可以发生升华的现象，使升华的蒸汽冷凝生成晶体。 （3）移动加热法 移动加热法分为移动溶液法和移动升华法。移动溶液法是生长高质量单晶的最简单、最可靠地方法之一。 移动升华法与移动溶液法相似，只是生长反应管中为真空。 2. II—VI族化合物的外延生长 III-V族化合物外延生长方法，几乎都可用来生长II—VI族化合物薄膜。 LPE法生长II—VI族化合物薄膜是制作发光管工艺中较成熟的方法。 生长设备一般采用倾斜或水平滑动舟 等。 溶剂：Te用的最多，此外还有Bi 、Zn、Se、Sn、Zn-Ga、 Zn-Ga-In等元素或合金。 (2) MOVPE法 用MOVPE法制备的ZnSe薄膜在纯度和晶体完整性上均优于普通的气相外延法。 MOVPE法的生长速率高、生长温度低，是常用的方法。 （3）HWE法 Hot wall epitaxy 法是一种气相外延技术。 优点：设备简单、造价低、节省原材料等，广泛应用在II-VI族和IV－VI族化合物薄膜材料的生长。 特点：热壁的作用