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第六章 双极型模拟集成电路 集成化元、器件及其特点 集成差分放大电路 电流模电路 功率输出级电路 集成运算放大器 第一节 集成化元器件及其特点 2 电路元件制造工艺 基区扩散 发射区扩散 蒸铝 NPN 二、 集成化元器件 1. NPN晶体管 在P型硅片衬底上扩散N＋隐埋层，生长N型外延层，扩散P型基区，N＋型发射区和集电区 2. PNP晶体管 从隔离槽P＋上引出集电极，载流子沿晶体管断面 的垂直方向运动 (2)横向PNP管 发射极和集电极横向排列，载流子沿断面水平运动。 3. 二极管 晶体管制作时，只要开路或短路某一PN结即得（如图）: 4. 电阻：（一般有两种） （1）金属膜电阻:温度特性好 （2）扩散电阻，按结构分： 基区电阻: 50?－100K? ?＝±20% 发射区电阻: 1－1000 ? （电阻率低） 窄基区电阻: 电阻率高 10－1000K ?＝±20% 虽集成化电阻阻值误差大，但为同向偏差，匹配误差小（小于3％） 5. 电容 利用SiO2保护层作绝缘介质，用金属板和半导体作电容极板。 电容量与氧化物厚度成反比，与极板面积成正比，单位面积电容量不大，但漏电较小、击穿电压较高。 二 集成化元器件特点 4. 集成电路中寄生参量的存在会引起元件间的寄生耦合，影响电路稳定，使电路产生寄生振荡