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4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质 MOS结构指金属-氧化物-半导体结构。 为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。 1.理想MOS二极管的定义与能带 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没有能量差，或两者的功函数差qφms为零 2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等，但符号相反。 3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。 通过以上讨论，以下各区间的表面电势可以区分为： Ψs0空穴积累（能带向上弯曲）； Ψs=0平带情况； ΨFΨs0空穴耗尽（能带向下弯曲）； ΨF=Ψs 表面上正好是本征的ns=ps=ni ΨFΨs 反型情况（反型层中电子积累，能带向下弯曲）。 电势与距离的关系，可由一维泊松方程求得 在平带条件下对应的总电容称为MOS 结构的平带电容CFB 1. MOS 晶体管的基本结构 2. MOS管的基本工作原理 4.2.2 MOS 场效应晶体管的转移特性 MOS 场效应晶体管可分为以下四种类型:N沟增强型、 N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。 1. N沟增强型MOS管及转移特性 2. N沟耗尽型MOS管及转移特性 4.3 MOS场效应晶体管的阀值电压4.3.1 阀值电压 4.4 MOS 场效应晶体管的直流伏安特性 4.4.1 伏安特性方程基本表示式 N沟 MOS增强型的一维简化模型前面已给出，图中标明了各参量的代表符号和参数坐标。 4.4.2 亚阀区的伏安特性 4.4.3 击穿区的伏安特性与击穿机理 4.4.4 输出特性曲线与直流参数 Ⅰ区：非饱和区。 Ⅱ区：饱和区。 Ⅲ区：雪崩区。 Ⅳ区：截止区。 4.5 MOS场效应晶体管的频率特性4.5.1 MOS场效应晶体管的交流小信号参数 4.5.2 MOS场效应晶体管交流小信号等效电路 4.5.3 MOS 场效应晶体管的高频特性 1. 跨导截止频率ωgm 4.6 MOS场效应晶体管的开关特性4.6.1 MOS场效应晶体管的开关作用 4.6.2 MOS场效应晶体管的开关过程 4.6.3 MOS场效应晶体管的开关时间计算 4.7 MOS场效应晶体管的温度特性4.7.1 迁移率随温度的变化 4.7.2 阀值电压的温度特性 4.7.3 MOS场效应晶体管几个主要参数的温度特性 4.8 MOS场效应晶体管短沟道效应4.8.1 阀值电压的变化 4.8.2 漏特性及跨导的变化 由实验发现，在MOS场效应晶体管的反型层中，当表面感生电荷密度 时，电子和空穴的有效迁移率实际上是常数，其数值等于半导体内迁移率的二分之一。实验还发现，此时迁移率随温度上升而呈下降趋势。 另外，在强电场下，当沟道中载流子达到速度饱和时，由于温度升高，沟道载流子的散射过程加剧，有散射而损失的能量增大。因而强场下沟道载流子的饱和速度也随温度升高而下降，从而使短栅器件的漏电流随温度增加而减小。 N沟MOS阀值电压随温度的变化关系为 显然，N沟器件的 ，阀值电压随温度的升高而下降。 而对P沟MOS场效应晶体管来说，其阀值电压则随温度的升高而增大。 实验还证明：在-55到+125 的范围，N沟与P沟MOS晶体管的阀值温度都随温度呈线性变换. 4. 功函数差的影响 功函数差也将随衬底杂质浓度的变化而变化。但实验证明，该变化的范围并不大。 从阀值电压的表示式可知，功函数越大，阀值电压越高。为降低阀值电压，应选择功函数差较低的材料，如掺杂多晶体硅作栅电极。 5. 费米势的影响 费米势 随衬底杂质浓度的变化关系 综上所述，MOS场效应晶体管的阀值电压与栅氧化层的厚度、质量、表面态电荷密度、衬底掺杂浓度、功函数差和费米势等有关。但对于结构一定的器件，在制造工艺中，能有效调节阀值电压的方法，主要是通过调整衬底或者沟道的掺杂浓度来实现的。 以 N沟道增强型MOS场效应晶体管为例，推导其电流-电压特性。作如下假设 源接触电极与沟道源端、漏接触电极与沟道漏端之间的压降忽略不计。 沟道电流为漂移电流。 反型层中电子迁移率μn为常数。 沟道与衬底PN结反响饱和电流为零。 5) 当对MOS管同时施加栅源电压UGS和漏源电压UDS时，栅源电压将在垂直与沟道的x方向（见下图）产生纵向电场Ex，使半导体表面形成反型导电沟道；漏源电压将在沟道方向产生横向电场Ey，在漏源之间产生漂移电流。 N沟 MOS管的简化截面图 可以得出漏电流IDS为： 将上式在整个沟道内积分，便得到MOS场效应晶体管伏安特性方程的基本表