化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响.PDFVIP

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2019-09-13 发布于天津
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第卷第期激光与光电子学进展 , ５６　６ Vol．５６ No．６年月 , ２０１９３ LaserOtoelectronicsProress March ２０１９ p g 化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响１∗ ２２ , , 姜元建张晓丹赵颖１ , ; 菏泽学院物理与电子工程学院山东菏泽２７４０１５２ , 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津３０００７１ , 摘要针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易出现外延生长的问题采用化学抛光液对硅片表面进行了　 CP１３３ . , “ ” “ ” , / 抛光处理研究结果表明抛光使得金字塔底部区域形貌由 V 型变成了 U 型明显改善了非晶硅晶体硅界面 . , , 的钝化效果抛光溶液温度低于３０℃时难以发挥腐蚀作用但当溶液的起始温度升高至３５℃时获得了较好的 . , . 抛光效果采用质量分数为的溶液制绒且抛光时间为时太阳电池性能较佳１％ NaOH ３０s ; ; ; ; ; ; 关键词表面光学界面处理化学抛光硅基异质结太阳电池钝化金字塔形貌制绒　中图分类号文献标识码 : / 　O６４９　　　　A doi１０．３７８８LOP５６．０６２４０２ InfluenceofChemicalPolishin onPerformancesof g SiliconHeterounctionSolarCells j １∗ ２２