化合物半导体课件.ppt

主要业者比较 业者名称 国家 成立日 主导产品 工艺 层次 发展阶段 Cree 美国 1987年 SiC晶圆、外延片、芯片及器件 PVT法 最高 100毫米 已成熟商业运营 Epigress 瑞典 1995年 SiC单晶及外延片生长工艺设备 CVD法 PVT法 次高 50毫米 已成熟商业运营 Okmetic 瑞典 1985年 Si晶圆、Si基外延片、SOI晶片、SiC晶圆及外延片 CVD法 PVT法 次高 50毫米 尚处试验运营之中 Sterling 美国 1996年 SiC单晶、晶圆及SiC基外延片 CVD法 PVT法 高 75毫米 已进入商业运营 DBSK 中国 2000年 SiC单晶及晶圆 PVT法 高 55毫米 即将投入商业运营 中科院物理所2-4英寸N型4H-SiC晶片 1885 年，Acheson 用电弧熔炼法生长出 SiC, 但用这种方法形成的SiC质量较差，达不到大规模生产SiC器件所需的SiC单晶的质量要求。 1955 年菲利浦研究室的 Lely 首先在实验室用升华法制备了杂质数量和种类可控的、具有足够尺寸的 SiC 单晶。 具体过程：设计一个空腹的圆筒，将具有工业级的 SiC 块放入碳坩埚中，加热到 2500 ℃， SiC 发生明显的分解与升华，产生 Si 和 SiC 的蒸汽，在高温炉内形成的温度梯度作用下向低温方向并凝聚在较低温度处，形成 SiC 晶体。此过程是一个“升华－凝聚”的过程，生长的驱动力是温度梯度。 SiC 晶体 高温热源 SiC 粉末 多孔石墨 SiC 蒸汽 SiC 籽晶 低温热源 保温系统 一种生长 SiC 单晶的筒状双壁坩埚装置 大体积 SiC 单晶生长的基本过程 原料的分解升华、质量传输和在籽晶上的结晶。 升华源 SiC 粉置于筒状双壁坩埚的夹层之中。在约 1900 oC的高温状态下，SiC 蒸汽要先经过坩埚内层的高纯微孔石墨薄壁过滤掉杂质，然后再向温度较低的晶体生长区扩散。 改良的 Lely 法 世界上主要的SiC单晶衬底供应商如美国的Cree公司、日本的Sixon公司都采用改良的 Lely 法来生长块材 SiC 单晶。 高温化学气相沉积法(HTCVD) HTCVD 法采用的生长系统与升华法所用的系统相似，但籽晶置于坩埚顶部 连续种晶物理气相输运法(CF-PVT) CF-PVT 法采用高纯硅和高纯碳(如多孔石墨盘)直接注入生长区，避免了通常的采用 SiC 粉末所造成的污染，并且生长过程中原材料可以连续供应，避免了SiC 粉末消耗过大所造成的生长停顿 卤化物化学气相沉积法(HCVD) SiCl4 和 C3H8作为 Si 源和 C 源，这两种原料分别在 Ar 和 H2 的携带下各自注入反应室，在2000 oC 生长。该方法生长速率高，获得的单晶电子陷阱少，电学性质好。 SiC单晶主要制备技术 气相法是制备单晶的主要技术； 基于“升华-凝结”原理的主要缺点是生长温度过高（2600-2700℃），难以对成核过程进行有效控制，晶体尺寸相当小（平均3-5mm); PVT（物理气相传输，Physical Vapor Transport)---改进的Lely法, 生长中使用籽晶使成核过程得到控制，生长温度也降低（1800 ℃ ）； PVT法生长SiC单晶 SiC原料在高温区分解； SiC气相组分在氩气气氛下 输运至粘在坩埚盖上的籽晶处； SiC气相组分在籽晶上结晶 后定向生长； 通常使用石墨坩埚，称为 C+ SiC系统； 基本反应过程 SiC薄膜的制备 同质外延与异质外延 SiC单晶片价格昂贵，成本很高(φ1.375 英寸的4H- SiC 晶片价格为$1500/片) 异质外延衬底：硅片、石英片等 方法：CVD (Chemical Vapor Deposit,化学气相沉积)，溅射法，脉冲激光沉积，分子束外延。。。。。。 目前，SiC 功率器件基本都是用化学气相沉积方法制备的 SiC 薄膜制成的; 最成熟和成功的是CVD法 SiC 薄膜的制备 独特的优势 (1)它是一种气相反应，可通过精确控制各种气体的流量来精确控制薄膜的厚度、组分和导电类型。 (2)可制备大面积、高均匀性的外延膜，适合于批量生产。 (3)灵活的气体源路控制技术使生长过程自动控制，降低随机因素，增加工艺重复性。 化学气相沉积 含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程——CVD SiC 薄膜的制备 上世纪八十年代初，水平冷壁石英管在Si衬底上获得单晶 3C-SiC 薄膜，使用的源气是 SiH4 和C3H8，H2 为载气 。 为了降低温度，人们使用既含 Si 又含 C 的物质(