电子电路第三章.ppt

* T6不仅是有源泻放；而且有基极电流自我调节作用，使T5工作于浅饱和区 当T2由截止变成导通的瞬间，由于T6的基极回路串联了电阻RB，所以T5的基极先于T6的基极导通，使T2发射级电流全流入T5的基极，加速T5导通；而在稳态时，T6导通后的分流，减少T5的积极电流，减轻了T5的饱和程度。 当T2从导通变成截止后，由于T6仍处于导通状态，使T5的基极提供瞬间的泄放回路。（此时，T5的集电结还可以认为是通的，T4的射极高电位对T6自举供电）） * “双管齐下”，达到折中 * * * * 原型：这是面接触型三极管 * * * * * * * * 开门电阻2kohm左右 * * * * * * * * 导通——指输出级导通 截止——指输出级截止 * 这是“the other side of a coin”，如果传输延迟大，抗交流噪声的能力强。 要求tw要大于tP 从另一方面讲，交流噪声容限大，灵敏度较差 * * * * 注意：或非门的“马甲” * * * * * * 小了没关系，相当于将下一级输入直接拉到高电平 实际上,对于TTL大了也没有关系，最多相当于下一级输入端悬空，仍相当于输入高电平 注意，这里说得不严格，实际上精确地说： 严格地说 实际上这时虽然OC门中的T5截止，但实际上还是有“‘灌’电流”的，甚至这些电流比IIH大！ 因为它的集电极正偏（当RL比较大，如果有一定的电流，就会造成压降），发射极反偏，也可以认为是倒置使用，但电流是集电极（“大炮”）电流； 而下一级门的输入是发射极（“蚊子”）电流。 * 注意：画出逻辑门的内电路，即“与扩展器”，不要死记“门数”，“端数”。 * * * * * * * * * 附录3-4：三极管的发明 1947年12月23日，37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者（巴丁、布拉顿）在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。 * 附录3-4：三极管的发明 1947年Bell Lab * 附录3-5：思考 当TTL反相器输入端为高电平（3.4V）时，T1管的b-e结处于什么样的工作状态？ 当TTL电路高电平输出时，输出端空载，测得电平值为何？ 为什么当vI=VIH时，T2一般“导通”，而T5是“饱和”呢？ 为什么时vI=VIL ， T4一般是“导通”呢？ 在转折区为什么T5能够迅速饱和呢？ 出于功耗的考虑，为什么限制iOH，但iOL的绝对值比前者高两个数量级，却不会造成功耗问题呢？这样的设计为什么可以接受的呢？ * 课程信息 教师：李峭 新主楼 F-710 e-Mail: avionics@buaa.edu.cn（可预约答疑） 电话: 8233.8894 助教 21班：李峭 （新主F-710） 22班：杨俊雄 （新主F-712） 23班：代亚楠 （新主F-712） 其他未明确为几班的同学，请找我商量 周三下班之前，交上一周作业 ? … ? * 第三章 习题 第五版教科书 3.1 ； 3.12 ； 3.18 3.16；3.17；3.13-(a,b,d) * 第三章 习题 第五版教科书 3.1 ； 3.12 ； 3.18 3.16；3.17；3.13-(a,b,d) * * * * * * * * 本征半导体——硅、锗 掺杂 三价（硼、铟、铝）元素 —— P型 掺杂 五价（砷、磷、锑）元素 —— N型 * k —— 波尔兹曼常数 1.3806505 * 10 –23 J/K q —— 电子电量 –1.6*10-19 库仑（C） 焦耳 = 安培*伏特*秒 = 库仑/秒*伏特*秒 加正偏 v = 4 VT 时，指数项近似1 Is 锗管 uA量级 硅管 10-9 ~ 10 –15 A * “导通”依据应用条件而定，在一般的电路中，认为电流达到mA量级为导通。 * 以NPN为例： E 发射极——高掺杂的N区（多子浓度大） B 基极——薄，多子浓度低（只有E的多子浓度的几百~几千分之一） C 集电极——厚。 思考，如果将三极管倒置使用，会产生什么样的后果？ * * 实际上， 1。确切地说是三个工作区和一个击穿区。 2。输出特性曲线微微上斜，所谓“厄尔利”电压。 3。（重要）饱和区的范围的定义，严格说不是直线。临界饱和线实际和输入特性曲线的形状相似。 三极管：电流控制的电流源。 * * * * * * * * * 输出“推拉”（推挽，图腾柱 totem pole） * 如果非要较真的话，还应该考虑R2上的压降，如果认为电流不应超过0.4mA，如取0.1mA左右，则这个压降大约是0.2V，所以有VOH输出3.4V的说法。 * D2为了保证T4此时可靠截止。 此时T2的BC结和T5的BC结都正偏，更有甚者T5的饱和程度强于T2，所以vBC5vBC2，为