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正确理解IGBT模块规格书参数 本文将阐述 IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解 IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌 IGBT模块FF450R17ME3 为例。一、电流参数1. 额定电流（IC nom） 大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A 额定电流可以用以下公式估算： Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC VCEsat 是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310 Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W 计算得：IC nom=500A 2. 脉冲电流（Icrm 和Irbsoa） Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况） Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流 所有模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值 3. 短路电流ISC 短路条件:t10μs,Vge15V,RgRgnom(规格书中的值)，Tj125℃ 短路坚固性 ?IGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC ?IGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC 二、电压参数1. 集电极-发射极阻断电压Vces 测量Vces时，G/E两极必须短路 Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏 Vces和短路电流ISC一起构成了IGBT模块的安全工作区：RBSOA图 由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin 在动态情况下，模块耐压和芯片耐压有所区别 2. 饱和压降VCEsat IFX IGBT的VCEsat随温度的升高而增大，称为VCEsat具有正温度系数，利于芯片之间实现均流 VCEsat 是IC的正向函数，随增大而增大IC VCEsat的变化 VCEsat随IC的增大而增大 VCEsat随VG的减小而增大 VCEsat 值可用来计算导通损耗 对于SPWM 控制, 导通损耗是: 三、开关参数1. 内部门极电阻RGint 为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了内部门极电阻。在计算驱动器峰值电流的时候，这个电阻值应算为门极总电阻的一部分。外部门极电阻是客户设定的，它影响IGBT的开关速度。文章来源：/jc/156.html 推荐的Rgext最小值在开关参数测试条件中给出客户可以使用不同的和RGon 和RGoff 最小Rgon 受限于开通di/dt，RGoff最小受限于关断dv/dt。RG过小会引起震荡而损坏IGBTRGext 的取值 IGBT要求的RGext 的最小值驱动器要求的RGext 的最小值 2. 外部门极电容(CGE)为了控制高压 IGBT的开启速度，推荐使用外部门极电容CGE 有了CGE ，开启过程的di/dt和dv/dt可以被分开控制，即可以用更小的RG ;从而实现了低的开关损耗和较低的开通di/dt 3. 门极电荷(QG) QG 用来计算驱动所需功率，为VGE 在+/-15V时的典型值4. Cies, Cres Cies = CGE + CGC: 输入电容（输出短路） Coss = CGC + CEC:输出电容（输入短路） Cres = CGC: 反向转移电容(米勒电容) 频率f，所需的驱动功率: 5. 开关时间(tdon, tr, tdoff, tf) 开关时间很大程度上受IG(RG)、IC、VGE、Tj等参数影响，这些值可用来计算死区时间。 tPHLmax：驱动输入高到低的延时tPLHmmin：驱动输入低到高的延时 6. 开关参数(Eon, Eoff) 英飞凌按照“10%-2%”积分限计算开关损耗，而有些其他厂商按照“10%-10%”计算，后者结果比前者会小10 –25%Eon, Eoff受IC, VCE, 驱动能力(VGE, IG, RG), Tj和分布电感影响我们假设Eon和Eoff 正比于IC,在VCE_test（900V)的20%范围内正比于VCE，则有： 四、二极管参数1. 阻断电压(VRRM) 类似于VCES at Tj 25℃2. 额定电流(IF) 3. 脉冲电流(ICRM) 4. 抗浪涌能力(I2t) 这个值定义了二极管的抗浪涌电流的能力，用于选择输入熔断器。熔断器数值应该小于二极管的I2t值，熔断器的熔断速度应该小于10ms，否则应该选择I2t值更大的二极管。我们在125 ℃定义I2t值，在25 ℃下它会大得多，通过I2t值可判断二极管容流能力。文章来源：/jc/156.html5. 正向压降(VF