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4 半导体器件基础知识 4.1 半导体的特性 1)本征激发 制造半导体器件的材料都要先制成单晶体，如单晶硅、单晶锗等，这种半导体非常纯净，几乎不含杂质，结构又完整，所以称为本征半导体。 2)掺杂特性 在本征半导体中掺入少量的特殊元素，就构成杂质半导体，例如，在单晶硅或单晶锗中，掺入微量的磷或砷、锑等，就构成N型半导体；若在单晶硅或单晶锗中，掺入微量的铝或硼、锢等，就构成P型半导体。 4.2 半导体二极管 4.2.1 PN结的形成及其单向导电性能 1)PN结的形成 2)PN结的单向导电性 4.2.2 二极管的结构 4.2.3 二极管的U—I特性 (1)正向特性 它是指正向电压较小时，正向电流几乎为零。 (2)反向特性 它是指在反向偏置电压下，内外电场方向一致，所以反向电流很小，且几乎不随电压增大而变化，但受温度影响较大。 图4.1 二极管的图形及代表符号 4.2.4 二极管的主要参数 1)最大整流电流IF 2)最大反向工作电压UR 3)最大反向工作电流IR 4)最高工作频率fm 4.2.5 特殊二极管 1)稳压二极管(齐纳二极管) 2)光电二极管 4.3 半导体三极管 4.3.1 三极管结构简介 半导体三极管又称晶体管，有3个电极，由一定的工艺制成的具有两个PN结的半导体器件，按其结构分为NPN和PNP两类，如图4.5所示。 工艺特点是：基区很薄且杂质浓度低，发射区杂质浓度高，集电结面积大。 图4.5 三极管的结构及其代表符号 分类方式： 按结构分类，分为NPN型和PNP型。 按其适应的工作频率分类，可分为高频管和低频管。 按功率大小分类，可分为小、中、大功率管。 按材料分类，分为硅管、锗管，国内硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。 4.3.3 三极管的特性曲线 1)输入特性 输入特性是指输出电压(UCE)为某一常数时，输入电压UBE与输入电流IB之间的关系曲线，如图4.6(a)所示。 2)输出特性 输出特性是指输入电流(IB)一定的情况下，输出电压UCE与输出电流IC之间的关系曲线，如图4.6(b)所示，在输出特性曲线上可以划分3个区域：截止区、放大区和饱和区。 图4.6 三极管的特性曲线 4.3.4 三极管的主要参数 1)电流放大系数 共射直流电流放大系数β和共基直流电流放大系数α均是衡量三极管放大能力的参数。 2)反向饱和电流 ICBO，集电极与基极之间的反向饱和电流(发射极开路)，锗管均为毫安级，硅管均为纳安级。 ICEO，集电极与发射极之间的穿透电流(基极开路)，ICEO=(1+β)ICBO。 3)极限参数 ICM，集电极最大允许电流，当电流超过ICM时，管子性能将显著下降，甚至有烧坏管子的可能。 PCM，集电极最大允许功率损耗，PCM= IC·UCE。PCM与环境温度有关，温度愈高，则PCM值愈小，一般硅管上限温度为150 ℃，锗管为70 ℃。 U(BR)CEO为基极开路时，集电极、发射极之间的反向击穿电压，这个电压的大小与其穿透电流ICEO直接相联系，当UCE增加时，ICEO明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。 4)三极管的选择 应遵循以下原则： ①根据电路对三极管的要求查阅手册，确定选用的三极管型号，其极限参数ICM，U(BR)CEO和PCM应分别大于电路对其的要求，使其工作在安全区。 ②三极管型号确定后，应选反向电流小的管子，因为同型号的管子反向电流越小，性能越好，而β值一般在20~100之间，β太大的管子性能不太稳定。 ③修理设备时，如发现管子损坏，要用同型号的管子替换，管子的参数PCM，UCEO和截止频率fm一般不得低于原管。 4.4 场效应三极管 根据结构和原理的不同，场效应三极管可分为两大类。 4.4.1 结型场效应管(JFET) 1)结构 由于这里的导电通道是N型半导体，所以这种管子称为N沟道结型场效应管，它的代表符号如图4.7(a)所示：箭头的方向，表示栅源极间PN结处于正偏时栅极电流的方向。 2)工作原理 在反向偏置的情况下，当反向电压升高时，导电沟道变窄，沟道电阻增大，流过沟道的电流自然要减少，这样便实现了由电压控制电流的目的。 图4.7 结型场效应管的符号