单层二氧化铪_HfO_2_薄膜的特性研究.docVIP

光电工程Opto-Electronic Engineering第 39 卷第 2 期2012 年 2 光电工程 Opto-Electronic Engineering 第 39 卷第 2 期 2012 年 2 月 Vol.39, No.2 Feb, 2012 文章编号：1003-501X(2012)02-0134-07 单层二氧化铪(HfO2)薄膜的特性研究 艾万君 1, 2，熊胜明 1 ( 1. 中国科学院光电技术研究所，成都 610209； 2. 中国科学院研究生院，北京 100049 ) 摘要：利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层 HfO2 薄膜，对薄膜样品的 晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明，薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。 电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构，而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的 薄膜折射率较低，薄膜比较疏松，表面粗糙度较小，吸收相对较小，而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄 膜折射率较高，薄膜的结构比较致密，但表面粗糙度较大，吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙 范围为 5.30～5.43 eV，对应的吸收边的范围为 228.4～234.0 nm。 关键词：电子束蒸发；离子束辅助沉积；离子束反应溅射；HfO2 薄膜；薄膜特性 中图分类号：O48