原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
微污染控制 | 技术说明
在光化学过滤应用中利用
™
Oktolex 薄膜技术降低缺陷率
作者：Lucia D’Urzo，Hareen Bayana，
Aiwen Wu，Jad Jaber ，James Hamzik – Entegris
Jelle Vandereyken，Philippe Foubert – imec
™
2017 年 7 月，Entegris 推出了 Oktolex 薄膜技术，用于提升 KrF/ArF （干式） ArF （干式和浸式） ArFi, EUV, DSA
逻辑，DRAM 和 3D NAND 元件制造过程中 ArF，KrF 和 EUV
光刻阶段的良率。每个 Oktolex 薄膜都是专门针对某种特定的导
致缺陷的污染物而设计的，适用于各种独特的光刻胶或光化学物。
微粒去除 微粒和凝去除 的去除
特定的“致命缺陷”（如微线桥）是光刻技术在多模式等先进应
用中的关键挑战之一。它们来源众多，很难消除。使用端过滤
分 ， 非分 ， 分之外
(POU) 在减少或消除此类缺陷方面起着关键作用。 尺寸排阻 化吸附
本研究的目的是提供与其他传统光化学薄膜相比的 Oktolex 技术的 图 1. 各种缺陷截留机制的示意图。
综合评估。通过 193 纳米沉浸式 (193i) 光刻技术，使用正型化学
Oktolex 薄膜技术是提高薄膜的润湿性，过滤效率和分离性的有
放大型抗蚀剂 (PT-CAR) 产生的缺陷，在 45 纳米管线，55 纳米
效手段。定制的薄膜技术可以精确定位污染物，而不会对化学成
空间 (45L/55S) 中向后续制程产生影响，该缺陷在有机底层 (UL)
分产生负面影响。
涂层晶圆阶段才会进行评估。此外，还对光刻性能进行了评估，
如临界尺寸 (CD)，线宽粗糙度 (LWR) 和聚焦能量矩阵 (FEM)。
实验
—
筛分与非筛分微粒去除
— ™
设备：ASML TWINSCAN NXT 正进行光刻：具有 1.35NA
™
的 1970i 以及 TEL LITHIUS Pro Zi 轨道涂层开发系统。
在筛分（尺寸排阻）去除过程中，因尺寸过大而无法通过膜孔结
构的微粒将被吸附在膜表面，或结构内部较小的通道中。孔径越 材料：在 Brewer Science ARC® -29SR 上涂覆的 JSR PT-CAR
小，筛分效率越高。 AIM5484，用于模式化的缺陷研究。
非筛分去除与薄膜表面对微粒的吸附有关，与微粒或孔径无关。 掩膜：采用完全 L45P100 模式和整片曝光的掩模已用于缺
各种分子间的作用力控制了溶液中的微粒与薄膜表面的相互作
陷研究。
用，如静电力，偶极子力，伦敦力等。只要微粒能够接近薄膜表
面并受到净引力，就能被捕获。 计量：在 KLA 2925 上检测了晶圆片。在 KLA eDR-7110 上对
文档评论（0）