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PAGE PAGE 1 驰张振荡器的设计 　　摘要：驰张振荡器是利用单结晶体管的负阻特性由单结晶体管与电阻、电容组成的自激振荡电路。本设计中分别对定频、调宽的驰张振荡器的原理和元件进行了阐述和选择。 　　关键词：驰张振荡器电阻电容单结晶体管电流电压 　　驰张振荡器是利用单结晶体管的负阻特性由单结晶体管与电阻、电容组成的自激振荡电路。它具有脉冲重复、频率选择范围广且比较容易；工作温度变化比较稳定等优点，因此应用比较广泛。 　　一、驰张振荡器的工作原理 　　驰张振荡器和单结晶体管的伏安特性曲线如图： 　　设电容C2在零状态下接通电源，C2经R11以时间常数R11C2充电，其电压UC逐渐上升，极性为上正下负，当UC（即Ue）达到单结晶体管的峰点电压UP时eb1导通，单结管进入负阻状态，C2经eb1和R7迅速放电，这时在R7上除了C2的放电电流外（这是流过R7电流的主要部分），还有两部分电流：一是电源经过R11和PN结到R7的电流，由于R11阻值大，故这部分电流很小；另一是电源经过R9和单结管到R7的电流，也是R7上主要部分。 　　当Uc降到单结管的谷点电压Uv时，经R11供给的电流小于谷点电流Iv，不能满足导通要求，于是eb1之间电阻迅速增大，单结管恢复阻断状态，此后C2又开始充电重复上述过程。 　　由于放电电阻R7很小，其放电时间常数（Reb1+R7）C2远小于充电时间常数R11C2，故uc呈现锯齿波，而R7上出现前沿很陡的的正向尖脉冲。如图所示： 　　二、驰张振荡器元件的选择 　　驰张振荡器主要作为触发电路的触发信号，分为两种，一种是定频作用，叫定频驰张振荡器；另一种是调宽作用，叫调宽振荡器。主要用于控制可控硅的导通时间，从而调节电动机电压的变化，达到调速的目的。 　　1、定频驰张振荡器的元件的选择 　　1）C2的选择 　　C2的容量选择应该合适，过大则时间常数大，振荡频率低；过小则储存电荷不足，在R7上形成的脉冲太窄，因此在触发电路里，C2值一般介于0.1～1μF之间，根据经验一般取C2=0.47～0.5μF即可，在本系统中C2取0.47μF，考虑触发电源的电压的，C2选为0.47μF/50V。 　　2、单结晶体管的选择 　　查参考文献，选型号为BT350的单结晶体管其参数如下： 　　分压比：η=0.65 　　基极间电阻：Rbb≥2kΩ 　　反向电压：Ub2max≥60V 　　反向电流：Ieo＜2μA 　　饱合电压：Ue＜4.5V 　　峰点电流：Ip＜4μA 　　耗散功率：Pb2max=500mW 　　谷点电压：Uv＜4.0v 　　调变电流：Ib2=10～45mA 　　3、R7放电电阻的选择 　　R7的大小会直接影响脉冲的幅度和宽度。R7过小，电容放电太快，输出脉冲太窄，不易使可控硅触发导通，R7过大，在单结管eb1未导通时，电源电压加在R9、R7和管子和b2b1组成的串联电路上，由它所引起的电流Ibb约有几毫安，如果R7过大，那么在R7上产生的电压就较高，这个电压加在可控硅控制极上，可能导致误触发，一般选100Ω左右。选R7为RT——100Ω/1/4W。 　　4、温度补偿电阻R9的选择 　　单结管中结压降UD具有负温度系数，而它的基极电阻Rbb具有正温度系数，为了得到一个频率较稳定的振荡器，减小温度对Up的影响，故在b2回路里串接R9进行温度补偿。其原理为： 　　根据Up=UD+ηUbb=UD+　Ubb，若温度升高，则UD降低，Rbb升高，使UP降低。由于Rbb的增大，使Ibb将减小，接入R9后，则R9上的压降也减小，这样Ubb将上升，从而补偿了UD的减小，使UP不变。根据经验，一般取R9为200～600Ω左右，选R9为RT——390Ω/1/4W。 　　5、充电电阻R11的选择 　　R11的大小直接影响着振荡器频率的高低，频率过高，调速范围窄，在大负载电流情况下触发功率不够；频率过低，调速范围宽，但电流脉动大，换向困难，低速行车不稳定。R11的选择必须满足下列条件： 　　1）若使单结晶体管工作在负阻区，必须使经过R11向C2充电电流大于峰点电流即 　　IP或R11＜ 　　2）若使单结晶体管可靠地关断，必须使经Re流入单结管的电流小于谷点电流即： 　　IV或R11＞ 　　由此可知，欲使电路振荡，R11必须满足： 　　＞　R11＞ 　　式中：UK——触发电路电压，UK=18V 　　UP——单结晶体管峰点电压， 　　UP=UD+ηUK=0.7+0.65×18=12.4V 　　Ip——单结晶体管峰点电流，取Ip=3μA 　　Uv——单结晶体管谷点电压，取Uv=3.5V 　　IV——单结晶体管谷点电流，取IV=2.5mA 　　η——分压比，取η=0.65 　　则：　=　=1.9MΩ 　　=　=5.8KΩ 　　实践经验，一般R1