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第5章 霍尔传感器 ; 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 ;5.1.2 霍尔传感器原理：;5.1.2 霍尔传感器原理：;5.1.2 霍尔传感器原理：; 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 ; 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 ; 磁感应强度B较大时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。EH=SH IB ; 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 ; 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为: ;5.2 霍尔元件的主要技术指标 ;5.2.2 额定激励电流IH :;5.2.3 输入电阻Ri :;5.2.6 寄生直流电势V0:;5.3 霍尔传感器集成电路;5.3.1 线性型霍尔传感器特性;5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路;Vcc; 请按以下电路，将下一页中的有关元件连接起来.;开关型霍尔集成电路与继电器的接线;开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 ; 5.4 霍尔传感器的应用 ;讫今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有： 分电器上作信号传感