避免闪电球或火花损害.docVIP

PAGE PAGE 1 避免闪电球或火花损害 　　闪电既有趣、富有娱乐性，又非常危险、具有破坏性。但对于IC，闪电从来不是好事。 　　大型钢架建筑、汽车、山峰，甚至人类都没有受到真实的大气闪电的伤害。人类自身也可以产生微型闪电球（火花）且皮毛无损。然而，IC遭受这些火花时，会造成大麻烦。即使对于人类火花，纳米高的晶体管也需要保护，以免受损。本文中，我们讨论保护印制电路板（PCB）不受ESD破坏的方式。我们将证明，较大尺寸的模拟器件最适合于保护小尺寸的FPGA。通过这些措施，FPGA中的IC更为可靠，具有一致的质量指标。 　　火花的两面性 　　人类产生的火花到底来自哪里？是由摩擦电荷引起的。这有点儿一言难尽。两种材料接触在一起（如果摩擦，效果更明显）然后分开，就会发生这种现象。部分电子将转移至两种材料之一。有多少电子运动以及运动到哪个表面取决于材料的成分。由于几乎所有材料、绝缘体和导体都呈现摩擦起电特性，所以这是一种常见现象。我们对许多常见源均非常熟悉。抚摸猫的皮毛、摩擦某人头上的气球，以及走过地毯，都会发生摩擦起电效应。 　　怪不得我们走过小块地毯并触摸门把手时会被电击一下！一般规则是50%相对湿度空气中的5000V会发生大约1cm（0.4英寸）高的火花。对于有些5、6英尺高的人，这是火花；虽然很疼，但没有伤害。现在，换一种思路。对于有些几微英寸高的物体，例如，IC中的晶体管，这种火花会造成什么样的破坏？这种情况下，1cm高的火花就是巨大、可怕的闪电现象。 　　现在，我们来讨论一下IC。微处理器促使数字半导体的密度大幅提升。制造工艺已经使晶体管越来越小。1971年，Intel4004CPU首次采用10μm工艺。上世纪80年代和90年代，工艺进步使得器件比细菌还小。2012年，IC正接近比1971年技术小1000倍的密度，芯片的元件比病毒还小。2012年，人们可购买单片封装内具有28nm元件及68亿个晶体管的FPGA，在未来几年内，密度将会翻倍。小晶体管被紧密封装在一起，需要工作在低电压（典型为lV及以下），以控制发热。 　　为帮助直观理解28nm，我们用旧金山和纽约市之间的距离（约4000公里或2500英里）表示lm。那么28nm（三千六百万分之一）就是O.11m或4.4英寸。闪电球会对如此小尺寸的器件造成什么损害？又如何保护必要且有用的FPGA呢？ 　　简单的答案是采用将数字和模拟世界架接起来的I/O接口器件。模拟混合信号IC的尺寸相对较大（比数字器件大10至100倍），电压较高（通常为20～80V以及更高），使其比微小的数字晶体管更结实。 　　理解火花引起的损害 　　半导体制造商对电过载（EOS）和静电放电（ESD）非常谨慎。首先，由于众所周知的原因，制造、封装和测试期间的EOS和ESD会破坏器件。但更严重的是，这些不利因素直接影响客户手中电路的质量和寿命。 　　发生电过载的器件在开始时可能表现为工作正常，甚至可能工作性能稍差，但仍然能夠通过自动测试设备（ATE）的检查，只是随后在现场发生失效。EOS和ESD故障是可预防的，并且毫无疑问，属于关键的质量控制问题。 　　制造IC的过程是EOS和ESD损害发生的第一现场。图1A所示为印制电路板（PCB）的原理图。我们可能认为IC有串联电容保护。事实并非如此，第二次损害机会发生在用户将IC安装至PCB形成产品时。仔细观察图lB，我们会发现电容的工作电压为50V，但两个金属连接端的距离只有0.28英寸（7mm）。由于火花可达0.4英寸（1cm），所以很容易危及电容周围的空隙。结果可能是IC要付出生命的代价（见图1C）。最后，用户在其环境下操作产品时，会发生EOS或ESD损害。 　　毫无疑问，有很多的损害机会。我们可实际观察IC内部EOS和ESD损害的结果，必须去掉环氧封装材料，通常使用双层隔离箱中的热酸进行处理。该过程极为危险。这种烟雾是致命的。呼吸一口将会造成非常痛苦的死亡；人类皮肤上的一滴酸在最好情况下会导致截去手或胳膊，最坏情况下会致人死亡。 　　图2A中的缩影图片中没有明显损坏。提供接合线和标有REF的焊盘，便于我们定位及比较图片。管芯上的液晶材料被涂上颜色（粉色），其随温度发生轻微变化。IC加电后，标有黄色的区域电流过大，导致发热，颜色变化。这很有意思，但是什么原因造成 　　REF接合线（见图2B）表明图像旋转了45°。我们继续放大，会观察到电迁移。在电应力的影响一下，随着损坏变得严重，EOS造成短路。这一过程会随时间的推移而发生，并在许多短期应力下恶化，直到器件突然失效。 　　为便于比较，我们检查了另一片被闪电球造成快速毁坏的IC。 　　同理，图3中每幅图片左上角的“7”用于定位。在可见光下观察不到更多现象，但在放大图片中，液晶表明温度上升并造成EOS。 　　图