第八章 MOS场效应晶体管.pptVIP

第八章 MOS场效应晶体管;本章内容提要; MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor)有许多种缩写形式，如IGFET、MISFET、MOST等。n沟道MOSFET的透视图如图所示。;8.1 MOSFET的基本结构;8.1 MOSFET的基本结构; MOSFET中源极接点作为电压的参考点。当栅极无外加偏压时，源极到漏极电极之间可视为两个背对背相接的p-n结，而由源极流向漏极的电流只有反向漏电流。;8.2 MOSFET的基本工作原理;8.2 MOSFET的基本工作原理; 依据反型层的形式，MOSFET有四种基本的形式。假如在零栅极偏压下，沟道的电导非常低，必须在栅极外加一正电压以形成n沟道，则此器件为增强型(或称常关型)n沟道MOSFET。 如果在零偏压下，已有n沟道存在，而必须外加一负电压来排除沟道中的载流子，以降低沟道电导，则此器件为耗尽型(或称常开型)n沟道MOSFET。同样也有p沟道增强型与耗尽型MOSFET。 ;8.3 MOSFET的分类;8.3 MOSFET的分类;8.4 MOSFET的阈值电压;8.4 MOSFET的阈值电压; 一、金属栅上产生的面电荷密度 QG ； 二、栅绝缘层中的面电荷密度Qox; 三、反型层中导电电子电荷面密度Q n； 四、半导体表面耗尽层中空间电荷面密度QB ； 由电中性条件： QG+Qox+Qn +QB =0; MOS二极管还受氧化层内的电荷以及SiO2-Si界面陷阱的影响。这些基本的陷阱与电荷的类型如图所示，包括有界面陷阱电荷(Interface trapped charge) 、氧化层固定电荷(fixed oxide charge)、氧化层陷阱电荷(oxide trapped charge)以及可动离子电荷。 ; 界面陷阱电荷Qit是由SiO2-Si界面特性所造成，且与界面处的化学键有关。这些陷阱位于SiO2-Si界面处。这些界面陷阱密度与晶体方向有关。在＜100＞方向，其界面陷阱密度约比＜111＞方向少一个数量级。; 氧化层固定电荷Qf位于距离SiO2-Si界面约3nm处。此电荷固定不动，且即使表面电势有大范围的变化仍不会有充放电现象发生。一般来说，Qf为正值，且与氧化、退火的条件以及硅的晶体方向有关。一般认为当氧化停止时，一些离子化的硅留在界面处，而这些离子与表面未完全成键的硅结合(如Si-Si或Si-O键)，可能导致正的界面电荷Qf产生。; 氧化层陷阱电荷Qot常随着二氧化硅的缺陷产生，这些电荷可由如X光辐射??是高能量电子轰击而产生。这些陷阱分布于氧化层内部，大部分与工艺有关的Qot可以低温退火加以去除。 ;8.4 MOSFET的阈值电压;8.4.1.2 MOS二极管 MOS二极管在半导体器件物理中占有极其重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最有用的器件之一。在实际应用中，MOS二极管是先进集成电路中最重要的MOSFET器件的枢纽。在集成电路中，MOS二极管亦可作为一储存电容器，并且是电荷耦合器件(CCD)的基本组成部分。 ;8.4 MOSFET的阈值电压; 右图为V=0时，理想p型MOS二极管的能带图。功函数(Work Function)为费米能级与真空能级之间的能量差(金属：q?m；半导体：q?s，qχ为电子亲和力，即半导体中导带边缘与真空能级的差值，qΨB为费米能级EF与本征费米能级Ei的能级差。 ;8.4 MOSFET的阈值电压; 当一理想MOS二极管偏压为正或负时，半导体表面可能会出现三种状况。对p型半导体而言，当一负电压施加于金属平板上时，SiO2-Si界面处将产生超量的空穴，接近半导体表面的能带将向上弯曲，如图。对理想MOS二极管而言，不论外加电压为多少，器件内部均无电流流动，所以半导体内部的费米能级将维持为一常数。在半导体内部的载流子密度与能级差成指数关系，即 ;8.4 MOSFET的阈值电压; 当外加一小量正电压于理想MOS二极管时，靠近半导体表面的能带将向下弯曲，使EF=Ei，形成多数载流子(空穴)耗尽，称为耗尽现象(Depletion)。在半导体中单位面积的空间电荷Qsc的值为qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度。 ;8.4 MOSFET的阈值电压; 由于EF-Ei＞0，在半导体表面上的电子浓度将大于ni，而空穴浓度将小于ni，即表面的电子(少数载流子)数目大于空穴(多数载流子)，表面载流子呈现反型，称为反型现象(Inversion)。 ;8.4 MOSFET的阈值电压;8.