广东中山学院集成电路工艺基础2011a试题卷.docVIP

电子科技大学中山学院试卷 第 PAGE 3页，共 NUMPAGES 6页 电子科技大学中山学院考试试题卷 课程名称: 电子科技大学中山学院考试试题卷 课程名称: 集成电路工艺基础 试卷类型： A卷 201 0 —201 1 学年第 2 学期 期末 考试 考试方式： 闭卷 拟题人： 文毅 日期： 2011-6-1 审 题 人： 学 院： 电子信息学院 班 级： 学 号： 姓 名： 装 订 线 内 禁 止 答 题 注意事项：1.答案一律做在答题卷上。 2.请写上班级、学号和姓名。 单项选择题（共15小题，每题2分，共30分） 1．二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（D） ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 A．⑴⑵ B. ⑴⑵⑶ C. ⑴⑵⑷⑸ D. ⑴⑵⑶⑷⑸ 2. 在SiO2内和Si-SiO2界面中存在的电荷包括（C） ⑴可动离子电荷 ⑵界面陷阱电荷 ⑶氧化层固定电荷 ⑷ 氧化层陷阱电荷 A．⑴⑵⑷ B. ⑴⑶⑷ C. ⑴⑵⑶⑷ D. ⑵⑶⑷ 3. 离子注入掺杂纯度高，是因为（B） A. 杂质源的纯度高 B.注入离子是通过质量分析器选出来的 4. Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶ 电容介质 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（B）的掩蔽膜； A．⑴ B. ⑵ C. ⑶ D. ⑴⑵ 5. 热氧化过程中Si中杂质在Si-SiO2界面存在分凝现象，下图所示是（B）。 A．m1，杂质在SiO2中是慢扩散 B. m1，杂质在SiO2中是快扩散 C. m1，杂质在SiO2中是慢扩散 D. m1，杂质在SiO2中是快扩散 6. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于 A A. 替位式扩散 B.间隙式扩散 7. LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（B） A．SiCl4 Si+2Cl2 B. SiH4 Si+2H2 C. Si3N4 3Si+2N2 D. SiH2Cl2 Si+Cl2+H2 8. 下面哪些说法是正确的（D） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 A．⑴⑵ B. ⑵⑷ C. ⑴⑵⑷ D. ⑴⑵⑶⑷ 9. 预扩散是在较____ 温度下（与主扩散相比），采用____扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定，按_____ 形式分布的杂质。（C） A．高、恒定表面源、余误差函数 B．高、有限表面源、高斯函数 C．低、恒定表面源、余误差函数 D．低、有限表面源、余误差函数 10. 下面选项属于预扩散作用有（B） A. 调节表面浓度 B. 控制进入硅表面内部的杂质总量 C. 控制结深 11. 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤： ⑴刻蚀 ⑵前烘 ⑶显影 ⑷去胶 ⑸涂胶 ⑹曝光 ⑺坚膜 以下选项排列正确的是：（D） A. ⑵⑸⑹⑴⑷⑶⑺ B.⑸⑵⑹⑴⑷⑶⑺ C. ⑸⑵⑹⑶⑺⑷⑴ D. ⑸⑵⑹⑶⑺⑴⑷ 12. 哪种Si外延方法存在反向腐蚀现象（A） A．氢还原反应 B. 硅烷热分解 13. 光刻胶的性能可用如下性能指标表征，其中表征光刻胶对光敏感度的性能指标是（B） A．感光度 B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蚀性 14. 下面哪个说法是正确的（D） A. 等离子体刻蚀各向异性好； B. 反应离子刻蚀属于化学腐蚀